Следовательно, в такой структуре имеется градиент концентрации подвижных носителей заряда каждого знака.
Под действием разности концентраций электроны из n-области будут перемещаться в p-область,
а дырки из р-области – в n-область.
Под действием разности концентраций электроны из n-области будут перемещаться в p-область,
а дырки из р-области – в n-область.
На месте ушедшей дырки в p-области навелся отрицательный заряд да еще электрон пришел из n-области, на месте ушедшего электрона n-области навелся положительный заряд впридачу пришел положительный заряд из р-области.
В результате на границах р-n-перехода слева сформировался отрицательный пространственный заряд, а справа - положительный пространственный заряд.
Этот двойной электрический слой создаёт электрическое поле с напряжённостью Е0 и приводит к появлению внутри полупроводника потенциального барьера φ0.
Это поле вызывает также направленное движение неосновных носителей заряда через переход – дрейфовый ток, направленный навстречу диффузному току Iдр = IДРр + IДРn
В конце концов эти токи сравняются IДР = IДИФ Наступит равновесное состояние и результирующий ток окажется равным нулю.
Структуру с повышенной концентрацией носителей принято обозначать символом p+.
2.2 Подключение внешнего источника напряжения к p-n-переходу