Датчик Холла.

Если п/п поместить в магнитное поле и пропустить ток , перпендикулярно этому полю, то согласно правилу левой руки на заряд будет действовать сила, отклоняющая их. В собственном (беспримесном) полупроводнике ЭДС Холла возникает за счет большой подвижности электронов, хотя заряды отклоняются в одну и ту же сторону.

Датчики Холла используются в устройствах, позволяющих измерять положение и скорость вращения, позволяющих измерять величину и напряжение магнитного поля, а также применяются в приборах для исследования полупроводников.

Эффект Холла проявляется в полупроводниках n-типа проводимости с протекающими через

них токами и помещёнными в магнитное поле.

На движущиеся электроны в полупроводнике будет действовать сила Лоренца F, под действием которой электроны будут отклоняться к дальнему краю пластинки (смотри рисунок 25), следовательно, там будет сгущение электронов, а около переднего края – недостаток их.

Поэтому между этими краями возникнет ЭДС, которая называется ЭДС Холла.

Эффект Холла применяется в магнитометрических датчиках.

Магниторезисторобразуется при введении в датчик Холла металлических перегородок. Тогда увеличивается путь носителя заряда, что эквивалентно увеличению электрического сопротивления. Используется аналогично датчику Холла (кроме исследования полупроводников).

Система обозначения отечественных и импортных полупроводниковых приборов (диодов, тиристоров, транзисторов, электронных микросхем)

В основу системы обозначения положен восьмизначный буквенно-цифровой код по ГОСТ 11.336.919-81:

Х Х Х ХХХ Х - Х

1 2 3 4 5 6 7 8

Первый элементобозначения (буква или цифра), обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен полупроводниковый прибор: Г (1) - германий и его соединения; К (2) -кремний и его соединения; А (3) - соединения галлия; И (4) - соединения индия. Буква применяется для обозначения полупроводниковых приборов широкого применения, цифра - для обозначения приборов, применяемых в устройствах специального применения.

Второй элемент обозначения - буква, определяет подкласс полупроводнико-вого прибора:

Т - транзисторы (за исключением полевых);

П - транзисторы полевые;

Д - диоды выпрямительные и импульсные, магнитодиоды, термодиоды;

К - стабилизаторы тока;

Ц - выпрямительные столбы и блоки;

С - стабилитроны, стабисторы и ограничители;

В - варикапы;

Л - излучающие оптоэлектронные приборы;

О - оптопары;

Н - тиристорные диоды;

У - тиристорные триоды;

И - туннельные диоды;

Г - генераторы шума;

В - приборы с объемными эффектами (приборы Ганна);

А - сверхвысокочастотные диоды;

OR - резисторные оптопары

ОД - диодные оптопары

ОТ - транзисторные оптопары

ОУ - тиристорные оптопары

Третий элемент обозначения - цифра, определяющая основные функциональные возможности прибора, например, допустимое значение рассеиваемой мощности, граничную или максимальную рабочую частоту. Для биполярных и полевых транзисторов цифра третьего элемента обозначения показывает группу транзисторов по максимальной рабочей частоте и допустимой рассеиваемой мощности в соответствии со следующей таблицей.

ММ - малая мощность

СМ – средняя мощность

БМ – большая мощность

f_гр – граничная частота

Четвертый, пятый, шестой элементы обозначения - трехзначное число (иногда двухзначное число), обозначающее порядковый номер разработки технологического типа, а для стабилитронов и стабисторов - напряжение стабилизации.

Седьмой элемент обозначения - буква, определяет классификационную группу, получаемую при разбраковке изготовленных приборов по каким-либо параметрам.

Восьмой элемент обозначения - одна цифра, обозначающая вид исполнения полупроводникового прибора (только для бескорпусных приборов).Например, цифра - 1 обозначает бескорпусной полупроводниковый прибор с гибкими выводами, цифра -2 - с ленточными выводами, - 3 - с жесткими выводами и т. д.

Примеры:

КД202А - полупроводниковый кремниевый (K) выпрямительный диод средней мощности (Д2), порядковый номер разработки - 02;

КС168А - полупроводниковый кремниевый (K) стабилитрон малой

мощности (C1) с напряжением стабилизации 6,8 В;

2Т3123А-2 - кремниевый для аппаратуры специального назначения (2) маломощный биполярный транзистор с граничной частотой больше 30 МГц (T3), порядковый номер разработки - 123, бескорпусной с ленточными выводами (- 2).