Ширина обедненных областей и ширина области пространственного заряда

Область пространственного заряда (ОПЗ) образуется за счет ухода основных носителей заряда через переход во время диффузии. В результате в каждом из полупроводников вблизи перехода образуется область, обедненная носителями заряда. Ширина обедненной области определяется выражением

, ,

где – диэлектрическая проницаемость полупроводника (для GaAs ), – напряжение, приложенное к p-n-переходу.

В отсутствие внешнего напряжения обедненные области будут равны

 

Ширина ОПЗ равна сумме обедненных областей