Усилительные приборы АЭУ.

 

В качестве основных усилительных приборов (УП) в АЭУ наибольшее распространение получили биполярные транзисторы (БТ). Лишь при весьма специфических требованиях оправдано выполнение отдельных усилительных каскадов на полевых транзисторах (ПТ), например оконечных каскадов с очень большой отдаваемой мощьностью (сотни Вт и более) или высоким выходным напряжением (около 100 В и выше), входных каскадов с высоким входным сопротивлением (до 1010 – 1012 Ом при применении ПТ с управляющим p-n-переходом и до 1014 – 1015 Ом – с изолированным затвором) и низком уровне собственного шума (первые отличаются тем, что позволяют получить высокое входное сопротивление при меньшим уровне шума).

В настоящее время электронной промышленностью освоен ряд линейных (линейно-импульсных) микросхем, которые позволили в АЭУ, содержащих малосигнальные и маломощные усилительные каскады отказаться от применения дискретных компонентов. Промышленный выпуск таких микросхем непрерывно расширяется, поэтому они составляют перспективную элементную базу АЭУ. Применение микросхем позволяет существенно уменьшить размеры АЭУ, повысить надежность, упростить технологию их изготовления и настройку. Если требования, предъявляемые к выходным и входным каскадам, нельзя удовлетворить серийно выпускаемыми микросхемами, последние уместно использовать в промежуточных каскадах в сочетании с мощными выходными и специальными входными каскадами, выполняемыми из дискретных компонентов.