Поле заряженной оси, расположенной вблизи проводящей плоскости
Метод зеркальных отражений
ЛЕКЦИЯ №45
Этот метод применяется для расчета электростатических полей, ограниченных какой-либо проводящей поверхностью правильной формы или в которых есть геометрически правильная форма границы между двумя диэлектриками.
При использовании этого метода кроме заданного заряда вводят дополнительные (фиктивные) заряды, величина и месторасположение которых выбираются так, чтобы выполнялись граничные условия.
Этот метод можно использовать для расчета электрических полей в проводящей среде и магнитных полей.
Ось расположена параллельно плоскости на расстоянии h от нее (рис. 15.10). Требуется определить характер поля в диэлектрике.
Рис. 15.10. Ось вблизи проводящей поверхности
В результате электростатической индукции на поверхности проводящего тела выступают заряды. Плотность их меняется с изменением координаты x. Поле в диэлектрике создается всеми зарядами.
Для расчета поля в проводящую среду помещают фиктивный заряд на расстоянии h. При этом среда по обе стороны границы считается однородной (рис. 15.11).
Проводящая поверхность эквипотенциальна (j = const). Тогда потенциал ее равен
.
При этом изменение потенциала вдоль поверхности
.
Следовательно, граничным условием будет.
Рис. 15.11. Расчетная схема
Тогда
.
Отсюда .
Потенциал в любой точке верхней полусферы будет равен
(15.31)
где r– – расстояние до отрицательно заряженной оси,
r+ – расстояние до положительно заряженной оси.
Потенциал провода
, (15.32)
где r0 – радиус провода.
Разность потенциалов
(15.33)
.
Емкость провода
(15.34)
Емкость провода относительно земли в два раза выше емкости двухпроводной линии.
Распределение заряда на границе раздела диэлектрика и проводника
(15.35)