МЕТОДИЧНА РОЗРОБКА
для позааудиторної самостійної роботи
До теми: Напівпровідникові транзистори: типи, позначення. Схеми ввімкнення біполярного транзистора.
1. Навчальна мета: Вивчити: Напівпровідникові транзистори: типи, позначення. Схеми ввімкнення біполярного транзистора.
2. Студент повинен знати: Напівпровідникові транзистори: типи, позначення. Схеми ввімкнення біполярного транзистора.
3. Студент повинен вміти: Будувати і досліджувати схеми ввімкнення біполярного транзистора.
Базові знання, необхідні для засвоєння теми:
Дисципліни | Знати |
1.ТОЕ 2. Фізика 3. Хімія |
5. Орієнтовна карта роботи з літературою:
№ | Навчальні завдання | Вказівки до завдання |
1. | Опрацювати матеріал за літературою та підготувати конспект за поданою літературою і переліком запитань з теми Напівпровідникові транзистори: типи, позначення Схеми ввімкнення біполярного транзистора | Л1 с.43 -45 Л1 с.43 -45 |
Методичні вказівки з вивчення.
Література: (1, с. 42...55, 64...73);
(2. С. ЗІ...40.44 ...47); (З.с, 28...3в); (б, с. 112)
Методичні вказівки.
Матеріал про транзистори добре викладений у (2), але для більш глибокого вивчення рекомендується (1).
Широко поширені біполярні транзистори (мають два типи носіїв зарядів: електрони і дірки) із двома р - n - переходами і можуть включатися в схему: із зaльнoю базою (ЗБ). із загальним емітером (ЗЕ) і загальним колектором ,ЗК- емітерний повторювач, (2, с. 35).
Розгляньте в транзисторі струми: струм емітера Іе, струм бази Іб і струм колектора Ік, причому Іе= Iб+Ік і Іе=Іб-Ік. Коефіцієнт підсилення по струму для схеми ЗЕ =Кі=Ік/Іб.
У транзисторі струм бази самий найменший і він визначає найбільш розповсюджену схему включення ЗЕ - вона володіє великим Кі і великим опором входу в порівнянні зі схемою ЗБ. Розгляньте вхідні I6=f(U6-e) і вихідні Ік =f(Uк-e) характеристики схеми ЗЕ (2. с. 37). Крім активного режиму (режим посилення сигналів), біполярні транзистори працюють у ключевому режимі, тобто в режимах "відкритий" чи "закритий" (ключ розімкнути чи замкнути).
6. Питання для самоконтролю:
1. У чому різниця між транзисторами типів n-p-n i p-n-р?
2. Покажіть шляхи струмів у транзисторі з загальною базою
3. Поясніть збільшення вхідного опору в схемі з загальним емітером у порівнянні зі схемою з загальною базою.
4. Поясніть, чому схема з загальним колектором володіє найбільшим вхідним опором Rвх?
5. Намалюйте статичні вхідні і вихідні характеристики транзистора з загальним емітером.
Література для самостійної роботи:
8. Забродин Ю.С.Промышленая електроника. -М.:Высшая школа, 1982.
9. Криштафович А.К.. Трифонюк В.В, Основи промышленной електор-оники. -М.: Высшая школа, 1985.
10. Основи промислової електроніки. Під ред. Герасимова В.Г.-М. :Вища школа, 1986.
11. Атаржанян Т.М. Интегральные микросхемы. - М.: Энергоиздат, 1983.
12. Князев А.Д.Элементы теория и практика обеспечения электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств. - М.: Ра-диосвязь, 1984.
13. Б.С. Гершунский. Основы электроники и микроэлектроники. - К., Высшая школа 1989.
14. Колонтаєвський Ю., Сосков А.Г. Електроніка і мікросхемотехніка: Підручник/За редакцією А.Г.Соскова- К: Каравела,2007.-384с.
Тема : Біполярні транзистори