Особенности полевого транзистора

Виды и условные графические обозначения

1. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом
«n»- типа

Рис.35

2. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом
«p»- типа

Рис.36

1. Самое большое Rвх., достигает 100 кОм и нескольких мегаом, т.к. на входе транзистора имеем обратно включенный «p-n» переход или изолированный затвор.

2. Полевой транзистор чувствителен к статическому электричеству.