Усилительные параметры транзистора.

Предельно-допустимые параметры транзистора.

Максимально-допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max. Превышение этого напряжения приведет к пробою транзистора.

Максимально-допустимый ток коллектора Iк max. Превышение этого тока вызовет его перегорание.

Предельно-допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора Pк max доп. Если мощность, выделяемая на коллекторе в виде тепла, превышает мощность рассеивания, то транзистор перегреется и сгорит.

Коэффициент передачи тока эмиттера - э.

э=│Uкэ=const (2.22)

Характеризует какая часть эмиттерного тока достигает коллектора, э0,99…0,995. Так как Iк-Iэ=Iб, то =, Iб<<Iэ.

Коэффициент передачи тока базы -.

, так как , отсюда (2.23)

Коэффициент характеризует во сколько раз ток на выходе коллектора превышает ток в схеме с ОЭ.

Входное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ-Rбэ оэ.

│Uкэ=const (2.24)

Выходное сопротивление транзистора в -Ri.

│Iб=const (2.25)

Крутизна вольтамперной характеристики – S.

(2.26)

Малосигнальные параметры транзистора и схема замещения.

При расчете транзисторных усилителей, работающих в режиме усиления малых сигналов, использовать характеристики транзистора затруднительно. Для расчета эквивалентные схемы замещения транзисторов линейными четырехполюсниками. Для биполярных транзисторов наиболее удобна система h-параметров. Эти параметры могут быть определены с высокой точностью для реальных элементов экспериментально. Рассмотрим транзистор как четырехполюсник (рис.2.21).

Рис.2.21.

Можно составить систему уравнений для такого четырехполюсника:

(2.27)

В соответствии с уравнениями можно составить эквивалентную схему замещения транзистора в режиме усиления малого сигнала (рис.2.22).

Рис.2.22.Эквивалентная схема замещения транзистора в режиме усиления малого сигнала.