Танталовая технология

Электронно-лучевая технология

Комбинированный процесс

Данный метод основан на комбинации масочного метода и метода фотолитографии. Масочным методом формируют плёночные элементы простой конфигурации, а также элементы, изготовить которые фотолитографией невозможно (конденсаторы). Методом фотолитографии изготавливают сложные тонкоплёночные структуры.

Технологический процесс:

1. Нанесение резистивного слоя;

2. Нанесение слоя для внутрисхемных соединений;

3. Первая фотолитография;

4. Вторая фотолитография;

5. Напыление через маску нижних обкладок конденсатора;

6. Напыление диэлектрика;

7. Напыление верхних обкладок конденсатора;

8. Нанесение защитного слоя.

Метод применяется для формирования пассивной части ГИС и МСБ с помощью электроннолучевой гравировки. Сначала на керамику напыляют резистивные и проводя­щие слои, потом проводят фрезерование с помощью электронного луча. Метод позволяет автоматизировать процесс и целесообразен для получения резисторов высокой точности.

Пленки из тантала являются исходным материалом для формирования выводящих емкостных и резистивных элементов.

Преимущества:

§ резисторы и конденсаторы могут быть получены на основе одного материала, что упрощает технологию и стоимость;

§ при анодировании пленок тантала получается диэлектрик для конденсаторов, защитный слой для резисторов и, кроме того, возможна корректировка сопротивлений резисторов;

§ пленка Та₂О₅ обладает высокой диэлектрической прочностью, высоким значением диэлектрической проницаемости, невосприимчивостью к влажности и высокой добротностью;

§ танталовые резисторы и конденсаторы стабильны и надежны во времени;

§ тантал относительно других мало восприимчив к радиации;

На основе метода можно получить 3 вида конденсаторов:

Ø Та – Та₂О₅ – Аи – высокая диэлектрическая прочность;

Ø Та – Та₂О₅ – Ni – пониженная чувствительность к влаге;

Ø Au – Та₂О₅ – Al – низкое сопротивление обкладок;

По танталовой технологии невозможно изготовление многослойных структур, так как при фотолитографии верхнего контактного слоя будет нарушена геометрия нижних танталовых слоев.

Формирование схемы по танталовой технологии:

1) нанесение тантала;

2) фотолитография (1);

3) нанесение алюминия (2);

4) фотолитография (3);

5) анодирование, покрытие фоторезистом (4);

6) осаждение алюминия методом термического испарения (5);

7) фотолитография – получение верхней обкладки конденсатора (6);

8) нанесение фоторезиста марки ФН-103 (защита);

9) фотолитография – нанесение защитного слоя;