Загальні вказівки

Вимірювання основних параметрів транзисторів

1. При вимірюванні параметрів транзисторів неможна припаювати або обрізати виводи транзисторів.

2. Конструкція панельок для приєднання транзисторів до елементів схеми не повинна передбачати необхідність вигину висводів, особливо поблизу скляних ізоляторів.

3. Температура навколишнього середовища при вимірюванні повинна відповідати значенню, зазначеному в технічних умовах або довідковим даним на випробовуваний транзистор. Слід враховувати, що малопотужні транзистори встигають помітно нагрітися від пальців рук оператора за час витягання їх з упаковки і установки в вимірювальний прилад. В результаті такого нагріву може з’явитися нестабільність параметрів, яку спостерігають протягом 10 - 20с після включення вимірювального приладу.

4. При вимірюванні зворотних струмів переходів необхідно підключати до схеми базовий вивід транзистора першим, а відключати його останнім.

5. При вимірюванні параметрів транзисторів середньої та великої потужності їх виводи повинні приєднуватися до вимірювальної схеми при вимкненому джерелі живлення колекторного ланцюга. При відключенні транзисторів від схеми спочатку відключається колекторний ланцюг.

6. При вимірюванні параметрів транзисторів необхідно використовувати джерела постійних напруг і струмів (для завдання початкового зсуву) з коефіцієнтами пульсацій не більше 1%, якщо в технічних умовах не вказане інше значення. Коефіцієнт пульсації джерел в ланцюгах бази або емітера не повинен перевищувати 0,1%.

7. Для контролю режиму роботи транзисторів по постійному струму та вимірювання постійних струмів і напруги необхідно застосовувати прилади з похибкою не більше ± 2% кінцевого значення робочої частини шкали. Якщо при вимірюванні використовуються імпульсні вольтметри, то їх похибка не повинна перевищувати ± 4%.

8. Діапазон вимірювання приладу треба вибирати так, щоб відлік вимірюваного значення знаходився в межах 30-100% шкали.

9. Рекомендується спочатку вимірювати зворотні струми переходів, а потім вже інші параметри.