Импринт – литография
Технология основана на прессовании резиста с последующим переносом рисунка на пластину полупроводника. Изображение в слое резиста создается физической деформацией резиста. Роль шаблона играет пресс -форма. См рис 236+
Рис Электронные фотографии отверстий в резисте:
а)посли инпринтинга. б) после напыления.
1.На подложке 1 при помощи центрифуги создается плоскопараллельный слой резиста2.
2.Композиция нагревается до температуры размягчения отвержденного резиста. Штамп3 вдавливается в слой резиста, который заполняет углубления на штампе.
3.системаохлаждается до температуры ниже затвердевания резиста, и штамп поднимается. возникновение на резисте выступов соответствует углублениям штампа. в местах. Где были выступы штампа, остается слой резиста толщиной10-20 нм.
4.Удаляется остаточный слой резиста ионным тралением. В окнах резиста 5поверхность подложки оказывается открытой.
Через окна в резисте можно производить травление подложки, напыление металла и ли ионная имплантация., после чего резист удаляется. Время одного цикла 10-15 минут. Например после импринтинга и напыления полоски металла имеют гладкость и острые углы , что недостижимо при традиционных методах.
В качестве резистов. используются органические термопластические материалы. ПММА ,полистерен. Материалом для штампов используют кремний или слой оксида кремния 
на кремниевой подложке. Для рисунков с деталями 10-20 нм применяют металлические штампы, изготовленные с помощью электронно-лучевой литографией с последующим напылением металла на подложку в отверстия резита. Ширина линийот10 нм, до нескольких мкм. Высота от 50 нм до сотен нм.
Этим методом можно получать структуры с размерами до10 нм. Детали диаметром 10 нм на расстоянии 10 нм дают плотность записи 0,15 Тбит/см2.
На рис приведена электронная микрофотография полосок металла послеимпритинга и напыления.Для полос характерны острые углы и гладкость
Рис. электронная фотография полосок металла(белые) после импринтинга и напыления. Ширина полос-70 нм,высота-200 нм.
Лк9*Зондовые технологии
Зондовые технологии: сканирующая туннельная микроскопия(СТМ)
и атомно-силовая микроскопия(АСМ).