Конспект лекций
Произведение растворимости малорастворимых веществ
в воде при 25 оС
Вещество | ПР | Вещество | ПР |
Ag2CO3 | 8,2·10–12 | Cu(OH)2 | 5,6·10–20 |
AgCl | 1,8·10–10 | CuS | 4,0·10–38 |
Ag2CrO4 | 1,1·10–12 | Fe(OH)3 | 4,0·10–38 |
Ag3PO4 | 1,3·10–20 | FeS | 3,7·10–19 |
AgJ | 8,3·10–17 | Fe(OH)2 | 4,8·10–16 |
BaCO3 | 5,1·10–9 | Mg(OH)2 | 3,2·10–11 |
BaSO4 | 1,1·10–10 | MgCO3 | 1,0·10–5 |
CaCO3 | 4,8·10–9 | MnS | 5,6·10–16 |
CaSO4 | 6,1·10–5 | PbCO3 | 7,5·10–14 |
CaC2O4 | 2,6·10–9 | PbSO4 | 1,6·10–8 |
Ca3(PO4)2 | 1,0·10–25 | PbS | 2,5·10–27 |
CdCO3 | 2,5·10–14 | SrSO4 | 3,2·10–7 |
Al(OH)3 | 1,9·10–33 | SrCO3 | 1,0·10–10 |
Константы неустойчивости некоторых комплексных ионов
Комплексная частица | Константа неустойчивости | Комплексная частица | Константа неустойчивости |
[Ag(CN)2]- | 1,0×10-21 | [Fe(CN)6]4- | 1,0×10-24 |
[Ag(NH3)2]+ | 5,9×10-8 | [Fe(CN)6]3- | 1,0×10-31 |
[Ag(S2O3)2]3- | 1,0×10-18 | [Ni(NH3)6]2+ | 1,8×10-9 |
[Cd(NH3)4]2+ | 7,5×10-8 | [Ni(CN)4]2- | 1,0×10-22 |
[Cu(NH3)4]2+ | 9,3×10-13 | [Co(NH3)6]2+ | 4,1×10-5 |
[Cu(S2O3)2]2- | 5,9×10-13 | [Zn(NH3)4]2+ | 3,5×10-10 |
[Cu(S2O3)3]4- | 1,4×10-14 | [Zn(OH)4]2- | 7,1×10-16 |
[Cu(en)2]2+ | 7,7×10-21 | [Hg(CN)4]2- | 3,0×10-42 |
[Fe(en)3]2+ | 2,0×10-10 | [HgJ4]2- | 1,4×10-30 |
[Fe(C2O4)3]3- | 6,3×10-21 | [HgCl4]2- | 8,5×10-16 |
[Fe(C5H5N)4]2+ | 2,0×10-7 | [Al(OH)4]- | 3,1×10-33 |
СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Коттон Ф. Современная неорганическая химия: в 3-х т. / Ф. Коттон, Дж. Уилкинсон. - М.: Мир, 1969.
2. Полинг Л. Общая химия / Л. Полинг . - М.: Мир, 1974. - 846 с.
3. Некрасов В. В. Основы общей химии: в 3-х т. / В. В. Некрасов. - М.: Химия, 1975.
4. Ахметов Н. С. Общая и неорганическая химия / Н. С. Ахметов. - М.: Высш. шк., 1998. - 743 с.
5. Глинка М. Л. Загальна хімія / М. Л. Глинка. - К.: Вища шк., 1986. - 608 с.
6. Глинка Н. Л. Задачи и упражнения по общей химии / Н. Л. Глинка. - Л.: Химия, 1981. - 134 с.
7. Общая химия. Биофизическая химия. Химия биогенных элементов / Ю. А. Ершов, В. А. Попков, А. С. Берлянд, А. З. Книжник. - М.: Высш. шк., 2000. - 560 с.
8. Карапетьянц М. Х. Общая и неорганическая химия / М. Х. Кара-петьянц, С. И. Дракин. - М.: Высш. шк., 1993. - 592 с.
9. Суворов А. В. Общая химия / А. В. Суворов, А. Б. Никольский. - СПб: Химия, 1997. - 623 с.
10. Скопенко В. В. Найважливіші класи неорганічних сполук / В. В. Скопенко, В. В. Григор’єва. - К.: Либідь, 1996. - 152 с.
11. Загальна та неорганічна хімія: у 2-х ч. / О. М. Степаненко,
Л. Г. Рейтер, В. М. Лєдовських, С. В. Іванов. - К.: Педагогічна преса, 2000.
12. Угай Я. А. Общая и неорганическая химия / Я. А. Угай. - М.: Высш. шк., 2000. - 527 с.
13. Григор’єва В. В. Загальна хімія / В. В. Григор’єва, В . М. Самійленко, А. М. Сич. - К.: Вища шк., 1991.
14. Химическая энциклопедия: в 5 т. - М.: Большая Российская энцикл., 1998.
15. Романцева Л. М. и др. Сборник задач и упражнений по общей химии / Л. М. Романцева и др. - М.: Высш. шк., 1991. - 288 с.
16. Неділько С. А. Загальна і неорганічна хімія: задачі та вправи /
С. А. Неділько, П. П. Попель. - К.: Либідь, 2001. - 400 с.
17. Гольбрайх Д. Е. Сборник задач и упражнений по химии /
Д. Е. Гольбрайх. - М.: Высш. шк., 1984.
Навчальний посібник
Білоусова Катерина Євгенівна
Розанцев Георгій Михайлович
Основи неорганічної хімії
Редактор В. В. Федоренко
План вид. 2013 р., поз. № 133
Лекция № 1. Понятие «моделирование». Проблемы схемотехнического моделирования
1. Понятие «моделирование»
При оценке средств моделирования обычно выделяют два основных требования - производительность и достоверность получаемых результатов. Первое обусловлено необходимостью проектировать все более сложные изделия в коммерчески приемлемые сроки. Второе - необходимостью безошибочного проектирования, поскольку каждая ошибка разработчика может обойтись в сотни тысяч долларов.
Базовые математические методы и алгоритмы, используемые при автоматизации расчета электрических схем, были разработаны сравнительно давно. Однако поиск новых подходов в этой области идет постоянно при тесном взаимодействии разработчиков САПР и специалистов в области численного моделирования. На ранних этапах развития схемотехнического моделирования основными критериями были экономия машинной памяти и сокращение временных затрат.
Со временем мощности вычислительных средств выросли, а стоимость оперативной памяти сильно упала. Однако размеры проектируемых схем также увеличились, и требования к САПР по сути остались прежними. Но изменились приоритеты. Сегодня на первый план, несомненно, вышла задача повышения производительности программ моделирования.
Для ее решения в основном используются две группы методов: учет структурных особенностей проектируемых схем и использование упрощенных моделей элементов. Благодаря учету структурных особенностей схем можно значительно повысить скорость моделирования и снизить объем необходимой оперативной памяти, но только для отдельных специальных типов схем, например схем памяти. Использование упрощенных моделей элементов в программах так называемого "FastSpice" быстрого схемотехнического моделирования (NanoSim, UltraSim, HSim) позволяет существенно сократить время моделирования, но приводит к снижению точности получаемых результатов из-за более грубых моделей. Еще одно направление повышения производительности моделирования - создание специализированных аппаратных вычислителей, в которых наиболее трудоемкие вычисления реализованы на аппаратном уровне. Основная проблема аппаратного подхода - дороговизна, отсутствие универсальности, а также быстрый рост производительности вычислительных систем общего назначения, в результате чего специализированные аппаратные комплексы быстро устаревают. Например, с появлением многоядерных микропроцессоров рост производительности персональных компьютеров (ПК) начал превышать рост производительности рабочих станций.
При этом цена ПК в разы и даже десятки раз ниже стоимости сопоставимой по характеристикам рабочей станции. Если алгоритмы и программное обеспечение позволяют распараллелить процесс вычислений с учетом особенностей многоядерной архитектуры, то производительность программ моделирования на ПК может быть существенно увеличена.