Полупроводника
Равновесная концентрация дырок в валентной зоне. Закон действующих масс для невырожденного
Равновесная концентрация дырок в валентной зоне po может быть рассчитана по формуле, аналогичной (1.2.1)
, (1.2.8)
где Np(E) – энергетическая плотность электронных состояний валентной зоны с учетом спина электрона, fop(E,T) – равновесная вероятность того, что при температуре Т уровень с энергией Е остаётся вакантным, т.е. будет занят дыркой. В соответствии с этим определением и формулой (1.2.2)
fop(E,T) = 1 – fon(E,T) = 1 - = . (1.2.9)
Для уровней валентной зоны невырожденного полупроводника выполняется условие >> 1, и потому
, (1.2.10)
т.е. дырки валентной зоны, так же как и электроны зоны проводимости, подчиняются фактически статистике Больцмана. Формула (1.2.10) показывает, что для уровней валентной зоны вероятность оказаться вакантными, т.е занятыми дырками, очень быстро убывает с уменьшением энергии уровня. Это значит, что основная часть дырок располагается вблизи потолка валентной зоны и потому допустимо:
а) использовать в качестве Np(E) для всей валентной зоны функцию (1.1.3)
; (1.2.11)
б) устремить в (1.2.8) нижний предел интегрирования к минус бесконечности ().
В итоге, используя для fop(E,T) точное выражение (1.2.9) и приближённое выражение (1.2.11) для Np(E), для вычисления равновесной концентрации дырок в валентной зоне получаем выражение
. (1.2.12)
В курсе физики твёрдого тела будет показано, что для невырожденного полупроводника интегрирование в (1.2.12) приводит к выражению
. (1.2.13)
Величину NV (см-3) называют эффективной плотностью состояний в валентной зоне и вычисляют по формуле
NV = =
= . (1.2.14)
Здесь mdp* - эффективная масса дырки в валентной зоне. Согласно (1.2.14) при Т = 300К и NV » 2.5*1019см-3. По физическому смыслу величина NV близка к количеству уровней валентной зоны, приходящихся на 1 см3 в интервале энергий от EV – kT до EV.
Легко убедиться, что для невырожденного полупроводника произведение равновесных концентраций электронов и дырок не зависит от положения уровня Ферми, а определяется только температурой и шириной запрещенной зоны. В самом деле, согласно (1.2.6) и (1.2.13)
=
или
. (1.2.15)
Последнее равенство принято называть законом действующих масс для невырожденного полупроводника. Формула (1.2.15) позволяет, зная Eg и равновесную концентрацию свободных носителей одного вида, найти равновесную при данной температуре концентрацию свободных носителей другого вида. Как мы убедимся далее, собственные, т.е. беспримесные, полупроводники являются невырожденными. Для собственных полупроводников ni = pi и согласно (1.2.15) получаем
. (1.2.15а)
Это позволяет переписать формулу (1.2.15) в виде
. (1.2.15б)
Из (1.2.15б) и (1.2.15) легко получить формулу, описывающую температурную зависимость концентрации свободных носителей заряда в собственном полупроводнике
(1.2.16)
или, после логарифмирования,
. (1.2.16а)
На рис. 1.2.1 эта зависимость показана для германия, кремния и арсенида галлия. По оси ординат отложен натуральный логарифм собственной концентрации, выраженной в см-3, а по оси абсцисс – обратная температура в К-1.
Рис. 1.2.1. Зависимость от температуры собственной концентрации (см-3) свободных носителей заряда в Ge, Si и GaAs в интервале температур от 100 до 1200 К.