Справочные данные транзисторов МП25А и МП39

Порядок выполнения работы

Классификация транзисторов

Классификация биполярных транзисторов отражена в их обозначениях.

В соответствии с ГОСТ 10862-72 транзисторам присваиваются обозначения, состоящие из четырех элементов:

Первый элемент – буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1 – германий; К или 2 – кремний; А или 3 – арсенид галлия. Если буквы Г, К, А заменены на цифры 1, 2, 3, то это означает транзистор для специальных применений.

Второй элемент – буква Т для биполярных транзисторов.

Третий элемент обозначения транзисторов определяет их классификацию по подгруппам рассеиваемых мощностей (малая, средняя, большая) и граничной частоте f_гр коэффициента передачи тока.

Четвертый и пятый элементы определяют порядковый номер разработки технологического типа прибора и обозначаются от 01 до 99.

Примеры обозначений:

2Т144А – транзистор кремниевый, малой мощности, f_гр не более 3МГц, номер разработки 44, группа А.

ГТ605А - транзистор германиевый, средней мощности, f_гр не более 30 МГц, номер разработки 05, группа А.

Измерение семейства вольт амперных характеристик производится автоматически с помощью блока характериографа Я4С-92 осциллографа С1-122А.

1) Убедитесь в правильности установки масштаба:

а) по оси коллекторных напряжений (метки в верхней части экрана 2V/дел., ручка U_C, U_D, V, деление в положении 2);

б) масштаб измерения по оси токов 500 мкА/дел. (ручка I_C, I_D, / деление в положении 0,5 мА);

в) значения базовых токов 50 мкА (ручка I_B, U_G ступ.).

2) После подключения адаптера 3 к нижнему гнезду характериографа получите и зарисуйте изображение ВАХ, отметив масштабы осей на рисунке.

3) Выведите ручку плавной регулировки U_C, U_D, V в крайнее левое положение. Установить масштаб по оси напряжений 200 mV/дел.

4) Присоедините вывод базы транзистора к гнезду коллектора «С» в адаптере 3. На экране появится входная ВАХ, зарисуйте ее.

5) Рассчитайте h‑параметры для схемы с общим эмиттером по формулам (6), используя численные значения из зарисованных графиков.

6) Произведите перерасчет h‑параметров для включения транзистора по схеме с общей базой (рис. 7).

Отчет по работе должен содержать:

- схему для измерения характеристик транзистора;

- таблицы результатов измерений;

- графики входных, выходных и переходных характеристик транзистора;

- расчеты h-параметров системы: h₁₁, h₂₁, h₂₂ в режиме U_к = -5 В, I_к = 1 мА.

- расчет h‑параметров для схемы с ОБ и сравнение их со спра­вочными данными в режиме

U_к = -5 В, I_к = 1 мА.

Литература

1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. // М.: Мир. 1984, Т. 1 455 с. Т.2 455 с.

2. Маллер Р.А, Кейминс Т. Элементы интегральных схем. // М.: Мир, 1986, 630 с.

3. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектронника. (Физические и технологические основы, надежность). // М.: Высшая школа. 1995, 464 с.

4. Справочник. Полупроводниковые приборы. Нефедов А.В., Гордеева В.И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги. // М.: КУбК-а. 1998, 401 с.