Порядок выполнения работы

1. Собрать схему для снятия статических характеристик МДП‑транзистора.

Регулировка напряжений VG, VD и VBS осуществляется ручками потенциометров, смонтированных на панели. Ток стока измеряется по падению напряжения на нагрузочном сопротивлении в цепи стока микровольтметром. Требуется, чтобы сопротивление нагрузки RН было много меньше сопротивления канала RС, поэтому падение напряжения V должно быть много меньше напряжения V (примерно в 100 раз).

 

ВНИМАНИЕ! Во избежание пробоя статическим электричеством подзатворного диэлектрика запрещается прикасаться к выводам затвора руками без предварительного заземления затворной цепи.

 

2. Снять семейство ID = f(VD) при изменении напряжения на стоке от 0 до -10 В: через 1 В в крутой части и через 2 В в пологой части вольт‑амперной характеристики. Напряжения на затворе устанавливаются: -4 В, -6 В, -8 В, -10 В.(см. табл. 1).

Начертить таблицу 1 и результаты измерений занести в таблицу. Построить график зависимости ID = f(VD) и определить из графика напряжение отсечки .

 

Таблица 1

 

VG, B VD, B -1 -2 -3 -4 -6 -8 -10
-4 ID, мA                
-6 ID, мA                
-8 ID, мA                
-10 ID, мA                

 

3. Снять семейство переходных характеристик МДП‑транзистора ID = f(VG) при различных значениях напряжения сток‑исток. Величину напряжения на затворе изменять в диапазоне от -1 В до -10 В через 1 В.

а) Выставить напряжение на стоке: VD = -0,1 В и снять ID = f(VG) в области плавного канала.

б) Последовательно выставляя VD = -4 В, -10 В, снять характеристики МДП‑транзистора в области отсечки.

Занести результаты измерений в таблицу 2, построить графики ID = f(VG).

По формулам (10) и (12) рассчитать значения порогового напряже­ния VT и подвижности дырок μp. Для этого на графике зависимости ID = f(VG) в области плавного канала проэкстраполировать прямолинейный участок зависимости к значению ID = 0. Значение VG при этом, как следует из (10), будет VG = VTVD/2. Величину подвижности μp определить из тангенсов угла наклона зависимости ID = f(VD) и ID = f(VG).

 

Таблица 2

 

VD, B VG, B -1 -2 -3 -4 -6 -8 -10
-0,1 ID, мA                
-4 ID, мA                
-10 ID, мA                

 

4. Подать на подложку напряжение смещения VBS, противоположное по полярности напряжению стока VD. Снять семейство характеристик ID = f(VG) в области плавного канала (VD = -0,1 В) при различных VBS (см. табл. 3).

 

Таблица 3

 

VBS, B VG, B -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10
ID, мA                      
ID, мA                      
ID, мA                      
ID, мA                      
ID, мA                      
ID, мA                      

 

Построить графики зависимости ID = f(VG) при различных значениях VBS и определить по (10) значения порогового напряжения VT. Построить график зависимости , и по (15) и (16) рассчитать величину NB.

 

5. Отчет о работе должен содержать:

а) Схему для снятия характеристик МДП‑транзистора;

б) Таблицы результатов измерений;

в) Графики переходных ID = f(VG) и проходных ID = f(VD) характеристик МДП‑транзистора, графики зависимости ID = f(VG) при различных напряжениях VBS,

;

г) Найденные из графика ID = f(VD) значения напряжения отсеч­ки и сравнение их с расчетными по (11);

д) Рассчитанные значения порогового напряжения VT, подвижности дырок μp и уровня легирования подложки NB.