Предельные эксплуатационные данные

Электрические параметры

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315К, КТ315И

Справочные данные транзисторов КТ315 и КТ361

Транзисторы кремниевые эпитаксиально - планарные n-p-n усилительные высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выво­дами. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0.18 г.

Граничное напряжение при I_э = 5 мА не менее:

КТЗ15А, КТ315Б, КТ315Ж......................... 15 В

КТЗ15В, КТ315Д, КТ315И.......................... 30 В

КТ315Г, КТ315Е......................................... 25 В

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при I_к = 20 мА, I_б = 2 мА не более:

КТ315А, КТ315Б, КТЗ 15В, КТ315Г.......... 0,4 В

КТ315Д, КТ315Е......................................... 1В

КТ315Ж....................................................... 0,5 В

Напряжение насыщения база - эмиттер при Iк = 20 мА, I_Б - 2 мА не более:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 1,1 В

КТ315Д, КТ315Е......................................... 1,5 В

КТ315Ж....................................................... 0,9 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_кэ = 10 В, I_к = 1 мА:

КТ315А, КТ315В, КТ315Д.......................... 20 - 90

КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е........................... ........... 50 - 350

КТ315Ж............................................ 30 - 250

КТ315И не менее........................................ ........... 30

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при U_кб = 10 В, I_э = 5 мА не более:

КТ315А........................................................ ........... 300 нс

КТ315Б, КТ315В, КТ315Г........................... ........... 500 нс

КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж......................... ........... 1000 нс

Модуль коэффициента передачи тока при U_кэ =10 В, I_к = 1 мА, f= 100 МГц не менее:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 2,5

КТ315Ж....................................................... ........... 1,5

Емкость коллекторного перехода при U_кб = 10 В, f= 10 МГц не более:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 7 пФ

КТ315Ж....................................................... ........... 10 пФ

Входное сопротивление при U_кэ = 10 В, I_к = 1 мА, не менее 40 Ом

Выходная проводимость при U_кэ = 10 В, I_к = 1 мА 0,3 мкСм

Обратный ток коллектора при U_кб = 10 В не более 1 мкА

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при U_бэ = 10 кОм, Т= 213 … 373 К:

КТ315А............................................................ 25 В

КТ315Б............................................................ 20 В

КТ315В, КТ315Д............................................. 40 В

КТ315Г, КТ315Е.......................... 35 В

КТ315Ж........................................................... 15 В

КТ315И............................................................ 60 В

Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 213 … 373К 6В

Постоянный ток коллектора при Т =213 … 373 К:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 100 мА

КТ315Ж, КТ315И............................................ 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т =213 … 298 К:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 150 мВт

КТ315Ж, КТ315И......................... 100 мВт

Температура перехода.......................... 393 К.

Температура окружающей среды От 213 до 373 К

Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллекто­ра, мВт, при Т =298 … 373 К определяется по формуле

Р_К.макс = (393 - Т)/0,67.

Допускается эксплуатация транзисторов в режиме Р_к = 250 мВт при U_КБ = 12,5 В, I_к = 20 мА.

2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора.

При включении транзистора в схему, находящуюся под напря­жением, базовый вывод должен подсоединяться первым и отсоеди­няться последним.

Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем интервале температур

Зависимость статического коэф­фициента передачи тока от тока эмиттера.

Зависимость напряжения насы­щения коллектор-эмиттер от то­ка коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Зависимость напряжения насы­щения база-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насы­щения база-эмиттер от тока базы