Биполярные транзисторы с изолированным затвором

(IGBT - транзисторы)

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor) – полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трехслойная структура.Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком. На рис. 6.41 приведено условное обозначение IGBT-транзистора.

Рис. 6.41. Условное обозначение IGBT-транзистора

Биполярные транзисторы с изолированным затвором являются продуктом развития технологии силовых транзисторов со структурой МОП, управляемых электрическим полем (MOSFET – Metal-Oxid-Semiconductor-Field-Effect-Transistor) и сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Эквивалентная схема включения двух транзисторов приведена на рис. 6.42.

Прибор введен в силовую цепь выводами биполярного транзистора – Е (эмиттер) и С (коллектор), а в цепь управления – выводом G (затвор).

Таким образом, IGBT имеет три внешних вывода: эмиттер, коллектор, затвор. Соединение эмиттера и стока (D), базы и истока (S) являются внутренними.

Рис. 6.42. Эквивалентная схема включения двух транзисторов в составе IGBT-транзистора

Сочетание двух приборов в одной структуре позволило объединить достоинства биполярного и полевого транзисторов: высокое входное сопротивление с высокой токовой нагрузкой и малым сопротивлением во включенном состоянии, малую мощность сигнала управления, способность выдерживать высокие значения обратного напряжения, хорошие температурные характеристики.

Схематичный разрез структуры IGBT-транзистора приведен на рис. 6.43. Биполярный транзистор образован слоями p⁺ (эмиттер), n (база), p (коллектор). Полевой транзистор образован слоями n (исток), n⁺ (сток) и металлической пластиной (затвор). Слои p⁺ и p имеют внешние выводы, включаемые в силовую цепь. Затвор имеет вывод, включаемый в цепь управления.

Процесс включения биполярного транзистора с изолированным затвором можно разделить на два этапа: после подачи положительного напряжения между затвором и истоком происходит открытие полевого транзистора (формируется (индуцируется) n-канал между истоком и стоком). Движение зарядов из области n в область p приводит к открытию биполярного транзистора и возникновению тока от эмиттера к коллектору. Таким образом полевой транзистор управляет работой биполярного.

Как отмечалось выше, для обозначения электродов IGBT-транзистора использованы термины ²эмиттер², ²коллектор² и ²затвор². Строго говоря, в IGBT-транзисторах имеются две биполярные структуры p-n-p- и n-p-n-типа. Названия выводов IGBT-транзистора могут представляться непривычными (особенно это относится к коллектору, так как фактически он подключен к эмиттеру силового биполярного транзистора p-n-p-типа). И, тем не менее, эти названия общеприняты.

Рис. 6.43. Схематичный разрез структуры IGBT-транзистора