Организация микросхем памяти
Статическая и динамическая ОП /оперативная память
Организация микросхем памяти
Лекция № 12 /2 Память - 2
Некоторые операции над массивами.
Вывод элементов одномерного массива на экран
Ввод элементов одномерного массива
– с помощью оператора присваивания:
1) Непосредственное присваивание конкретного значения элементу массива в программе:
a[1] := 8;
a[2] := 15;
a[10] := 71;
2) Присваивание значения элементу массива в соответствии с некоторой формулой:
for i:=1 to 8 do
a[i]:=(2*i+3/i)/10;
3) Присваивание случайного значения элементу массива с использованием функции random:
Функция random выдает числа, равномерно распределенные в промежутке от 0 до1.
y[i]:=random;
В качестве аргумента для функции random можно использовать положительное целое число: random(N). В этом случае функция будет выдавать случайные целые числа в промежутке от 0 до N.
for i:=1 to 5 do
X[i]:=random(10);
– с помощью операторов ввода read или readln:
for i:=1 to 10
begin
writeln(‘Введите’,i,’-й элемент: ’);
read(a[i]);
end;
Вывод производится с помощью операторов write и writeln.
for i:=1 to 5 do
writeln(a[i]:4);
for i:=1 to 10 do
write(x[i]:7:2);
Копирование.
Чтобы записать один массив в другой необходимо воспользоваться оператором присваивания для каждого элемента.
for i := 1 to 10 do
B[i] := A[i];
Если массив объявлен, как идентичный, то можно использовать оператор присваивания целиком для массива:
B := A;
Аналогично можно проверять равенства и неравенства массивов:
if a=b ...
if a<>b...
Содержание
- конвейерный;
- • регистровый;
- • страничный;
- • пакетный;
- • удвоенной скорости.
2.Оперативные запоминающие устройства………….8
Статические ОЗУ…………………………………………………………9
динамические ОЗУ ……………………………………..10
3.Обнаружение и исправление ошибок …………………………16
Литература Глава 5. Памятьстр.207-220
Интегральные микросхемы (ИМС) памяти организованы в виде матрицы ячеек,
каждая из которых, в зависимости от разрядности ИМС, состоит из одного или
более запоминающих элементов (ЗЭ) и имеет свой адрес. Каждый ЗЭ способен
хранить один бит информации. Для ЗЭ любой полупроводниковой памяти харак-
терны следующие свойства:
• два стабильных состояния, представляющие двоичные 0 и 1;
• в ЗЭ (хотя бы однажды) может быть произведена запись информации, посред-
ством перевода его в одно из двух возможных состояний;
• для определения текущего состояния ЗЭ его содержимое может быть считано.
При матричной организации ИМС памяти (рис. 5.6) реализуется координат-
ный принцип адресации ячеек. Адрес ячейки, поступающий по шине адреса ВМ,
пропускается через логику выбора, где он разделяется на две составляющие: адрес
строки и адрес столбца. Адреса строки и столбца запоминаются соответственно
в регистре адреса строки и регистре адреса столбца микросхемы. Регистры соеди-
нены каждый со своим дешифратором. Выходы дешифраторов образуют систему
горизонтальных и вертикальных линий, к которым подсоединены запоминающие
элементы матрицы, при этом каждый ЗЭ расположен на пересечении одной гори-
зонтальной и одной вертикальной линии.ЗЭ, объединенные общим ≪горизонтальным≫ проводом,
принято называть стро-кой (row). Запоминающие элементы, подключенные к общему ≪вертикальному≫
проводу, называют столбцом (column). Фактически ≪вертикальных≫ проводов
в микросхеме должно быть, по крайней мере, вдвое больше, чем это требуется для
адресации, поскольку к каждому ЗЭ необходимо подключить линию, по которой
будет передаваться считанная и записываемая информация.
Совокупность запоминающих элементов и логических схем, связанных с выбо-
ром строк и столбцов, называют ядром микросхемы памяти. Помимо ядра в ИМС
имеется еще интерфейсная логика, обеспечивающая взаимодействие ядра с внеш-
ним миром. В ее задачи, в частности, входят коммутация нужного столбца на вы-
ход при считывании и на вход — при записи.
На физическую организацию ядра, как матрицы однобитовых ЗЭ, накладывает-
ся логическая организация памяти, под которой понимается разрядность микросхе-
мы, то есть количество линий ввода/вывода. Разрядность микросхемы определяет
количество ЗЭ, имеющих один и тот же адрес (такая совокупность запоминающих
элементов называется ячейкой), то есть каждый столбец содержит столько разря-
дов, сколько есть линий ввода/вывода данных.
Для уменьшения числа контактов ИМС адреса строки и столбца в большин-
стве микросхем подаются в микросхему через одни и те же контакты последова-
тельно во времени (мультиплексируются) и запоминаются соответственно в реги-
стре адреса строки и регистре адреса столбца микросхемы. Мультиплексирование
обычно реализуется внешней по отношению к ИМС схемой
Для синхронизации процессов фиксации и обработки адресной информации
внутри ИМС адрес строки (RA) сопровождается сигналом RAS (Row Address
Strobe — строб строки), а адрес столбца (СА) — сигналом СAS (Column Address
Strobe — строб столбца). Вторую букву в аббревиатурах RAS и CAS иногда рас-
шифровывают как Access — ≪доступ≫, то есть имеется строб доступа к строке и строб
доступа к столбцу. Чтобы стробирование было надежным, эти сигналы подаются
с задержкой, достаточной для завершения переходных процессов на шине адреса
и в адресных цепях микросхемы.
Сигнал выбора микросхемы CS (Crystal Select) разрешает работу ИМС и ис-
пользуется для выбора определенной микросхемы в системах, состоящих из не-
скольких ИМС. Вход WE (Write Enable — разрешение записи) определяет вид
выполняемой операции (считывание или запись).
Записываемая информация, поступающая по шине данных, первоначально за-
носится во входной регистр данных, а затем — в выбранную ячейку. При выполне-
нии операции чтения информация из ячейки до ее выдачи на шину данных буфе-
ризируется в выходном регистре данных. Обычно роль входного и выходного
выполняет один и тот же регистр. Усилители считывания/записи (УСЗ) служат
для электрического согласования сигналов на линиях данных и внутренних сиг-
налов ИМС. Обычно число УСЗ равно числу запоминающих элементов в строке
матрицы, и все они при обращении к памяти подключаются к выбранной горизон-
тальной линии. Каждая группа УСЗ, образующая ячейку, подключена к одному из
столбцов матрицы, то есть выбор нужной ячейки в строке обеспечивается активи-
зацией одной из вертикальных линий. На все время пока ИМС памяти не исполь-
зует шину данных, информационные выходы микросхемы переводятся в третье
(высокоимпедансное) состояние. Управление переключением в третье состояние
обеспечивается сигналом ОЕ (Output Enable — разрешение выдачи выходных сиг-
налов). Этот сигнал активизируется при выполнении операции чтения.
Для большинства перечисленных выше управляющих сигналов активным обыч-
но считается их низкий уровень, что и показано на рис. 5.6.
Управление операциями с основной памятью осуществляется контроллером
памяти. Обычно этот контроллер входит в состав центрального процессора либо
реализуется в виде внешнего по отношению к памяти устройства. В последних
типах ИМС памяти часть функций контроллера возлагается на микросхему памяти.
Хотя работа ИМС памяти может быть организована как по синхронной, так и по
асинхронной схеме, контроллер памяти — устройство синхронное, то есть сраба-
тывающее исключительно по тактовым импульсам. По этой причине операции с
памятью принято описывать с привязкой к тактам. В общем случае на каждую та-
кую операцию требуется как минимум пять тактов, которые используются следу-
ющим образом:
1. Указание типа операции (чтение или запись) и установка адреса строки.
2. Формирование сигнала RAS.
3. Установка адреса столбца.
4. Формирование сигнала CAS.
5. Возврат сигналов RAS и CAS в неактивное состояние.
Типовую процедуру доступа к памяти рассмотрим на примере чтения из ИМС с мультиплексированием адресов строк и столбцов. Сначала на входе WE уста-навливается уровень, соответствующий операции чтения, а на адресные контакты ИМС подается адрес строки, сопровождаемый сигналом RAS. По заднему фронту этого сигнала адрес запоминается в регистре адреса строки микросхемы, после чего дешифрируется. После стабилизации процессов, вызванных сигналом RAS, вы-бранная строка подключается к УСЗ. Далее на вход ИМС подается адрес столбца, который по заднему фронту сигнала СAS заносится в регистр адреса столбца. Од-новременно подготавливается выходной регистр данных, куда после стабилиза-ции сигнала CAS загружается информация с выбранных УСЗ.
Разработчики микросхем памяти тратят значительные усилия на повышение быстродействия ИМС, которое принято характеризовать четырьмя параметрами (численные значения приводятся для типовой микросхемы динамической памяти емкостью 4 Мбит):
• t^s — минимальное время от перепада сигнала RAS с высокого уровня к низко-му до момента появления и стабилизации считанных данных на выходе ИМС.Среди приводившихся в начале главы характеристик быстродействия это со-ответствует времени доступа Гд (t^ = 60 нс);
• tKC — минимальное время от начала доступа к одной строке микросхемы памя-ти до Начала доступа к следующей строке. Этот параметр также упоминался в начале главы как длительность цикла памяти Гц (tRC = 110 нс при t^s = 60 нс);
• tCAS — минимальное время от перепада сигнала CAS с высокого уровня к низко-му до момента появления и стабилизации считанных данных на выходе ИМС (tCAS = 15 не при ^RAS= 60 нс);
• ТРС — минимальное время от начала доступа к одному столбцу микросхемы па-мяти до начала доступа к следующему столбцу (£РС = 35 нс при t^s = 60 нс).
Возможности ≪ускорения ядра≫ микросхемы ЗУ весьма ограничены и связаны в основном с миниатюризацией запоминающих элементов. Наибольшие успехи достигнуты в интерфейсной части ИМС, касаются они, главным образом, операции чтения, то есть способов доставки содержимого ячейки на шину данных. Наибольшее распространение получили следующие шесть фундаментальных подходов:
• последовательный;
• конвейерный;
• регистровый;
• страничный;
• пакетный;
• удвоенной скорости.