РОЗДІЛ 1
ВСТУП
Воздействие боевых биологических средств
Отравление боевыми отравляющими веществами
Применение лекарственных средств
Лекарственные средства, способств выведению радионуклидов и детоксикации организма необходимо применять сразу же после облучения. Обязательные лекарственные препараты- йодистый калий, бромгексин, лазикс, сенадс, кишечные адсорбенты.
Питание: больше белка, растительной клетчатки, щавелевой кислоты, комплекс «Амивис» по 1 чайной ложке
Индикация: применение индикаторных трубок и бумажек
Диагностика: определение активности холинэстеразы, эритроцитов и сыворотки крови (ФОС), X-ray thorax
Лечение: дезинтоксикационная и антиоксидантная терапия, симптоматическое лечение бронхоспазма, отека легких, нарушений ССС, отека мозга
Особенности: наличие скрытого периода, заразность, высокая смертность
Диагностика: лабораторное исследование крови, кала, мочи, мокроты, рвотных масс, раневого отделяемого, смывов с кожи, одежды, повязок
Лечение- спец. Лечение, направленное против штаммов возбудителя, дезинтоксикационная терапия, симптоматическое лечение
Особенности оказания медицинской помощи пострадавшим- необходимость проведения экстренной медикаментозной профилактики, иммунопрофилактики, дезинфекции и дезинсекции, введение противоэпидемического режима работы, режимов обсервации и карантина, постоянное ношение индивидуальных средств защиты.
Магнітоелектроніка - достатньо молодий науково-технічний напрям твердотільної електроніки в основі якого лежить використання явищ, пов'язаних з дією на електронні властивості немагнітних і магнітних середовищ зовнішнього магнітного поля. Серед сучасних технічних засобів немало пристроїв і об’єктів, робота яких ґрунтується на взаємодії з магнітним полем або таких де магнітне поле виступає в якості керуючого середовища. Традиційними ефектами, які використовувалися при розробці магніточутливих приладів були гальваномагнітні явища: ефект Холу, магніторезистивний ефект, магнітодіодний і ряд інших [1]. На основі цих ефектів розроблені магніточутливі прилади: датчики Холу, магнітодіоди, - транзистори, -тірістори, що широко використовуються в промисловості. Серед безперечних переваг таких приладів слід назвати повну електричну розв'язку вхідних і вихідних ланцюгів апаратури, детектування величини і напряму індукції магнітного поля з високою локальністю, створення безконтактних (які «не іскрять») комутаторів, безконтактне вимірювання електричного струму та напруги і багато інших [2].
Особливо бурхливий розвиток магнітоелектроніка отримала в останнє десятиліття у зв'язку з відкриттям так званих гігантського (ГМО або GMR) і тунельного (ТМО або TMR) магніторезистивного ефектів в магнітних надгратах і негомогенних магнітоупорядкованих середовищах. Перший ефект було відкрито в 1988 р. і він достатньо швидко знайшов широке промислове застосування в пристроях зчитування інформації при використанні запам'ятовуючого магнітного середовища. Застосування пристроїв на основі цього явища в зчитуючих голівках жорстких дисків вже на початку 90-х років минулого століття дозволило збільшити їх ємність з сотень мегабайт до десятків, а потім і сотень гігабайт, що істотно збільшило можливості персональних комп'ютерів.
Елементи на основі магнетиків застосовувалися в ЕОМ, починаючи з перших кроків. В перших обчислювальних машинах в якості елементів оперативної пам'яті використовувалися феритові кільця. Ферит є феримагнетиком. Намагніченість кільця за годинниковою стрілкою задавала «нуль», а проти годинникової стрілки - «одиницю».
У другій половині двадцятого століття в периферійних пристроях ЕОМ широкого поширення набули циліндрові магнітні домени (ЦМД), проте тепер дана технологія виходить із вжитку [3] (як і магнітооптичні диски).
Широке технічне застосування явища ГМО привернули до нього увагу наукової громадськості, що виразилося в присудженні Нобелівської премії 2007 р. першовідкривачам явища ГМО А. Ферту і П. Грюнбергу.
В області фундаментальних досліджень відкриття ГМО стимулювало широке вивчення систем, що містять наношари магнітних матеріалів, яке привело до відкриття в 1995 р. явища тунельного магнітоопору (ТМО), явища перемагнічування спін-полярізованним струмом та інших явищ. Сформувався напрям електроніки, що отримав назву «спінтроніка». Спінтроніка об'єднала явища і пристрої, що використовують спін-полярізовані струми, тобто перенесення інформації за допомогою спину, тоді як традиційна електроніка використовує явище перенесення електричного заряду.
У прикладній області відкриття явищ ГМО і ТМО стимулювало створення магніторезистивної пам'яті (МRAМ), швидкодія якої порядка наносекунди і, в перспективі, може замінити як жорсткі диски, так і флеш- і напівпровідникову пам'ять. На тепер створені дослідні партії такої пам'яті. Її головними недоліками є складність сполучення з традиційними напівпровідниковими технологіями і (поки що) висока вартість (за оцінкою 2009 р. - в 100 разів дорожча звичайної).
Магнітоопір - це зміна електричного опору провідника зовнішнім магнітним полем. У немагнітних провідниках (напівпровідниках і металах із зонним механізмом перенесення заряду) зміна опору викликається дією сили Лоренца на рухомий електрон і в звичайних умовах цей ефект відносно невеликий. У теж час в магнітних матеріалах і магнітоупорядкованих наноструктурах поляризація спину електрона дає ряд додаткових внесків в магніторезистивний ефект і великий магнітоопір можна отримати в достатньо слабких магнітних полях. Прогрес і застосування цих ефектів були б неможливі без глибокого розуміння фізики цих явищ, що вимагають для опису (у зв'язку з використанням поняття "спин") апарату квантової механіки. Часто дане відгалуження магнітоелектроніки називають спінелектронікой або спінтронікой, як зазначалось вище.
Отже, можна перелічити магніторезистивні ефекти, що знаходять широке застосування в сучасній магнітоелектроніці - звичайний лоренцівський магнітоопір (ЛМО), анізотропний магнітоопір (АМО) феромагнітних матеріалів і сплавів, гігантський магнітоопір (ГМО) в магнітних надгратах і неоднорідних магнітних середовищах, тунельний магнітоопір (ТМО) тунельних контактів з феромагнітними електродами і неоднорідних магнітоупорядкованих середовищ, колосальний магнітоопір (КМС) деяких феромагнітних оксидів. Підсумовуючи можна відмітити, що ряд магніторезистивних ефектів в даний час знаходить широке застосування в промисловості. Наприклад, АМО і ГМО ефекти використовуються в головках зчитування з магнітних дисків і стрічок, розроблені прототипи магнітної пам'яті на цих ефектах і практично всі вони використовуються як фізична основа роботи магніточутливих датчиків.