Надежностные модели

Стоимостные модели

В качестве примера можно привести стоимость кристалла полупроводниковой микросхемы (или платы гибридной микросхемы).

.

Эту формулу можно преобразовать через площадь.

S_П – площадь подложки; С_к – стоимость проведения k-ой технологической операции изготовления ИМС; С₀ – стоимость подложки; N – число кристаллов на одной подложке; S_ИМС – площадь, занимаемая одним кристаллом; Р_П – доля годных ИМС на одной подложке, %; М – число операций; S₀ – стоимость подложки.

Рассмотрим резистивную тонкопленочную микросхему. Основным элементом являются тонкопленочные резисторы. Если процесс деградации определяется диффузией, то выражение для интенсивности отказов тонкопленочных резисторов (ТПР) ИМС можно представить следующим образом:

,

где b – ширина резистивного слоя;

t – текущее время;

t₀ – среднее время до отказа.