Теперь представим себе, что каким-либо способом мы возбудили большую часть атомов среды. Тогда при прохождении через вещество электромагнитной волны с частотой

1 1

2 2

а б

Рис.1 Схема поглощения

n=

эта волна будет не ослабляться, а, напротив, усиливаться за счёт индуцированного излучения. Под её воздействием атомы согласованно переходят в низшие энергетические со­стояния, излучая волны, совпадаю­щие по частоте и фазе с падающей волной..

2 2

1 1

а б

Рис. 2 Схема излучения

ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ ЛАЗЕР

Поскольку первый твердотельный лазер был сделан при использовании в качестве активного вещест­ва рубинового стержня, то рассмотрим его устрой­ство.Из кристалла рубина изготовляется стержень с плоскопараллельными торцами. Кратковре­менный импульс тока от батареи кон­денсаторов емкостью в несколько ты­сяч микрофарад вызывает яркую вспышку газоразрядной лампы. Спустя малое время высший энергетический уровень становится «перенаселенным».

В результате самопроизвольных переходов 2®1 начинают излучаться волны всевозможных направлений. Те из них, которые идут под углом к оси кристалла, выходят из него и не играют в дальнейших процессах ни­какой роли. Но волна, идущая вдоль оси кристалла, многократно отражается от его торцов. Она вы­зывает индуцированное излучение возбужденных атомов и быстро усиливается.

Один из торцов рубинового стержня делают зеркальным, а дру­гой полупрозрачным. Через него выходит мощный кратковременный (длительностью около сотни микро­секунд) импульс красного света, лазерный импульс, Волна является когерентной, так как все атомы излучают согласованно, и очень мощной, так как при индуци­рованном излучении вся запасенная энергия выделяется за очень малое время.

ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР

Для таких лазеров в качестве активного вещества ис­пользуют либо смесь газов, либо вещество, находящееся в парообразном состоянии. Газовая среда облегчает полу­чение непрерывного стимулированного излучения, по­скольку для перевода вещества в возбужденное состояние требуется меньшая энергия. Впервые в качестве активного вещества применялась смесь гелия и неона. Атом гелия в процессе газового разряда возбуждается электронами тока и переходит с основного уровня 1 на уровень 2. При столкновении атомов гелия с атомами неона последние также возбуждаются и совершают пере­ход на один из четырех верхних подуровней. В связи с тем, что перераспределение энергии при столк­новении двух частиц происходит с минимальным изме­нением общей внутренней энергии, то атомы неона пере­ходят в основном именно па уровень 2, а не на уровень 3 или 4. Вследствие этого создается перенаселенность верхнего уровня 2. При переходе атомов неона с уровня 2 на уровень 1 они дают стимулированное излучение, которое сосредоточено на одной длине волны порядка одного мкм.

ЖИДКОСТНЫЙ ЛАЗЕР.

В этих лазерах рабочей средой служат жидкие диэле­ктрики с примесными рабочими атомами. Оказалось, что, растворяя редкоземельные элементы в некоторых жид­костях можно получить структуру энергетических уровней, очень сходную со структурой уровней примесных атомов в твердых диэлектриках. Поэтому принцип работы жидкостных лазеров тот же, что и твердотельных. Преимущества жидкостных лазеров очевидны: во-первых. не нужно ни варить стекло высокого качества, ни растить були для кристаллов. Во-вторых, жидкостью можно за­полнять любой объем, а это облегчает охлаждение ак­тивного вещества путем циркуляции самой жидкости в приборе.

Разработан метод получения жидких активных ве­ществ с примесями гадолиния, неодима и самария. При экспериментах по получению стимулированного излуче­ния жидкое вещество помещали в резонатор со сфери­ческими зеркалами, подобный тем, которые использу­ют в газовых лазерах. Если лазер работал в импульсном режиме, то в специальном охлаждении жидкого вещества не было необходимости. Если же прибор работал в не­прерывном режиме, то активное вещество заставляли циркулировать по охлаждающей и рабочей системам.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР.

Принцип работы полупроводникового лазера может быть объяснен следующим образом. Согласно квантовой теории электроны в полупроводнике могут занимать две широкие энергетические полосы. Нижняя пред­ставляет собой валентную зону, а верхняя – зону прово­димости. В нормальном чистом полупроводнике при низкой температуре все электроны связаны и занимают энергетический уровень, расположенный в пределах валентной зоны. Если на полупроводник подействовать электрическим током или световыми импульсами, то часть электронов перейдет в зону проводимости. В ре­зультате перехода в валентной зоне окажутся свободные места, которые в физике называют «дырками». Эти дыр­ки играют роль положительного заряда. Произойдёт перераспределение электронов между уровнями валентной зоны и зоны проводимости, и можно говорить, в определенном смысле, о перенаселенности верхней энергетической зоны.

ХИМИЧЕСКИЙ ЛАЗЕР.

Химическим лазерам приписывают практическое ис­пользование в самом ближайшем будущем. Они работают без электрического питания. Для этого потоки химических реагентов должны перемещаться и реагировать. Инверсия населенностей уровней энергии возникает при возбуждении энергией, выделяющейся в химической ре­акции. Для химического лазера имеется принципиальная возможность работы без внешнего источника электриче­ской энергии. Вся необходимая энергия может быть по­лучена за счет химической реакции.