Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером

На практике довольно часто используются биполярные транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером (рис. 8).

Рис. 8. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером

Для схемы с общим эмиттером основным параметром биполярного транзистора является дифференциальный коэффициент передачи тока базы β, которым называется приращение тока коллектора dI_к к вызвавшему его приращению тока базы I_б при постоянном напряжении на коллекторе (при нагрузке в цепи коллектора).

Коэффициент β показывает также коэффициент приращения по току биполярного транзистора с схеме с общей базой. Величина β равна нескольким десяткам или сотням. Между коэффициентами передачи токов эмиттера β и базы α существует связь:

(4)

Для значения α = 0,96 коэффициент , если α = 0,99, то b = 100.

Существует три основных типа статических характеристик биполярного транзистора при включении по схеме с ОЭ (рис. 9).

1. Выходные характеристики – зависимость тока коллектора I_к от напряжения на коллекторе U_к при постоянном токе базы I_б (рис. 9а).

I_к = f(U_к); I_б = const, I_б3 > I_б2 > I_б1.

2. Входная характеристика – зависимость тока базы I_б от напряжения на базе U_б при постоянном напряжении на коллекторе U_к (рис. 9б):

I_б = f(U_б); U_к = const.

3. Переходная характеристика – зависимость тока колллектора I_к от тока базы I_б при постоянном напряжении на коллекторе U_к (рис. 9в):

I_к = f(I_б); U_к = const.

Рис. 9. Статические характеристики биролярного транзистора при включении по схеме с ОЭ