Линейные несовершенства

Эти несовершенства называют дислокациями (от английского слова dislocation, что в переводе означает смещение, сдвиг). Их подразделяют на краевые и винтовые.

Краевая дислокация представляет собой локализованное искажение кристаллической решетки, вызванное наличием в ней «лишней» полуплоскости АВ, называемой экстраплоскостъю (рис.8.3,а). Проведем в идеальном кристалле сдвиг на одно межатомное расстояние одной части кристалла относительно другой вдоль какой-либо плоскости на участке ADEF (рис.8.3,б). Как видно, влево сдвинулась только часть кристалла, находящаяся правее плоскости ABCD. При таком сдвиге число рядов атомов в верхней части кристалла на один больше, чем в нижней (рис.8.3,а). Плоскость ABCD (рис.8.3,б) представляет собой в данном случае как бы лишнюю атомную плоскость (экстраплoскoсть), вставленную в верхнюю часть кристалла (АВ,рис.8.3,а). Линия AD (рис.8.3,б), перпендикулярная направлению сдвига, являющаяся краем экстраплoскости, называется краевой или линейной дислокацией, длина которой может достигать многих тысяч межатомных расстояний. Если экстраплoскость находится в верхней части кристалла, то дислокацию называют положительной и обозначают знаком ^, а если в нижней - отрицательной и обозначают Т. Различие между положительной и отрицательной дислокациями условное, переворачивая кристалл, мы превращаем отрицательную дислокацию в положительную.