ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Рекомендуемая литература
1. Б. Пирсон, Н. Томас. Магистр делового администрирования. Краткий курс: Пер. с англ. – М.: Издательский дом «Альпина», 2001. – 218с.
2. Simons R. Levels of Control – How Managers Use Innovative Control Systems to Drive Strategic Renewal. – Boston – 1995.
3. Miller D. The Icarus Paradox – How Exceptional Companies bring about their own Downfall. – New York. – 1990.
Классификация и основные параметры запоминающих устройств.
Запоминающие устройства, (ЗУ) служат для хранения информации и обмена ею с другими частями ЭВМ или микропроцессорных систем. По функциональному назначению ЗУ подразделяются на внешние, буферные и внутренние. Внешние ЗУ служат для хранения больших объемов информации и программного обеспечения системы. В них используются ЗУ с прямым доступом на магнитных барабанах (дисках) и ЗУ с последовательным доступом на магнитных лентах. Буферные ЗУ предназначены для промежуточного хранения данных при обмене между внешней и внутренней памятью. Внутренние ЗУ по выполняемым функциям делятся на оперативные и постоянные. Оперативные ЗУ (ОЗУ) выполняют запись, хранение и считывание произвольной двоичной информации, обеспечивают хранение программ для текущей обработки информации и массивов обрабатываемых данных. Постоянные ЗУ (ПЗУ) осуществляют хранение и выдачу постоянно записанной информации, содержание которой не изменяется во время работы системы.
По способу занесения информации ПЗУ делятся на собственно П3У, программируемые заводом изготовителем; программируемые ПЗУ (ППЗУ), программируемые однократно пользователем; репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ), программируемые многократно пользователем.
В ЭВМ нового поколения во внутренних ЗУ в основном используются полупроводниковые интегральные схемы, которые по сравнению с традиционными магнитными имеют следующие достоинства: высокую информационную емкость, обусловленную малыми размерами запоминающих элементов (ЗЭ) и формированием наодном кристалле с накопителем схем электронного управления; относительно низкую стоимость; совместимость по уровням сигналов с процессором ЭВМ; высокую надежность. В полупроводниковых ЗУ накопителем информации служит ЗЭ памяти. По способу обращения к массиву ЗЭ все ЗУ делятся на адресные и ассоциативные. В адресных ЗУ обращение к ЗЭ производится по их физическим координатам, задаваемым внешним двоичным кодом-адресом. Адресные ЗУ бывают с произвольной выборкой (ЗУПВ), которые допускают любой порядок следования адресов, и с последовательным обращением, в которых выборка ЗЭ возможна только в порядке возрастания или убывания адреса. В ЗУ последовательного типа информация считывается в том же порядке, как была записана (стек), или в обратном («магазин»). Такие ЗУ строятся на сдвигающих регистрах или подвижных носителях (лентах, дисках). В ассоциативных 3У поиск информации пpоизводится по признакам, заключенным в самой хранимой информации, независимо от физических координат 3Э.
По технологическому исполнению полупроводниковые ЗУ имеют следующие структуры биполярные и МДП, использующие схемотехнику ТТЛ, ЭСЛ, И2Л, КМДП.
Основными параметрами ЗУ являются: информационная емкость М и быстродействие. Информационная емкость характеризует количество информации, которое может храниться в ЗЭ на кристалле, и определяется в битах или количестве слов N c указанием их разрядности n; М = n ´ N, где n (n = 0, 1, 2, 3, ...) - разрядность слова, N = 2m (т = 4, 5, 6, ...) – количество слов. Например, 1´16, 1´256, 1´1024, 4´16, 4´64, 4´256, 4´1024, 8´512, 8´1024. Быстродействие характеризуется временем выборки и циклом записи. Время выборки tв - интервал времени между моментом подачи сигнала выборки и появлением информации на выходе микросхемы ЗУ. Цикл записи tц.з. - минимально допустимое время между моментом подачи сигнала выборки при записи и моментом начала последующей операции считывания (записи).
Исправное состояние ЗУ определяется при контроле статических и динамических параметров или при функционировании.