Статические характеристики.

 

Польові транзистори з наведеним каналом

 

Основні ВАХ транзистора з наведеним каналом:

· Вихідні ВАХ

· Характеристика передачі струму

Вихідні ВАХ

 

Вихідна ВАХ – це залежність ІС від UСВ при постійній напрузі на ізольованому затворі.

 

ВАХ діляться на 2 області:

1) Область, де ВАХ мають сублінійний характер – крута область. Сублінійність ВАХ залежить, як і у польових транзисторів з керуючим p-n-переходом, від опору каналу, тому що при збільшенні струму ширина каналу в області стоку зменшиться, і при напрузі насичення канал перекривається.

2) Лінійна область (робоча). Після досягнення струму насичення і перекриття каналу струм практично не зміниться, тому що величина опору вхідного і вихідного у транзистора як чотириполюсника на 3-5 порядків більше, ніж у польового транзистора з керуючим p-n-переходом, і досягає 1015-1016 Ом.

Характеристика передачі струму

 

 

 

Характеристикою передачі струму називають залежність стуму стоку ІС від напруги затвор стікUЗС при постійній напрузі між витоком і стоком. Всі характеристики починаються із однієї точки, якій відповідає UЗ (Uпор.) , коли створюється канал.

Польовий транзистор з ізольованим затвором має великий коефіцієнт підсилення по струму і напрузі, а відповідно і по потужності, тому що на управління майже не витрачається потужність джерела вхідного сигналу

Польові транзистори з вбудованим каналом

 

Через наявність каналу між витоком і стоком керувати шириною каналу у таких польових транзисторів можна, як позитивною, так і негативною напругою на затворі. Тому такі транзистори працюють як в режимі збіднення, так і в режимі збагачення. Тому ВАХ польового транзистора будуть розташовані вверх і вниз від ВАХ при Uзатв=0.

Вихідні ВАХ

Характеристика передачіструму

IC

Контрольные вопросы:

1. Какой участок характеристики относится к сублинейному?

2. От чего зависит сублинейность характеристики?

3. Почему после перекрытия канала ток на выходных характеристиках практически не изменяется?

4. Что определяется по характеристикам передачи тока?

Литература:

Б. С. Гершунский. Основы электроники и микроэлектроники.- Киев : Вища школа, 1989, стр.111-116, 142-144.