Статические характеристики.
Польові транзистори з наведеним каналом
Основні ВАХ транзистора з наведеним каналом:
· Вихідні ВАХ
· Характеристика передачі струму
Вихідні ВАХ
Вихідна ВАХ – це залежність ІС від UСВ при постійній напрузі на ізольованому затворі.
ВАХ діляться на 2 області:
1) Область, де ВАХ мають сублінійний характер – крута область. Сублінійність ВАХ залежить, як і у польових транзисторів з керуючим p-n-переходом, від опору каналу, тому що при збільшенні струму ширина каналу в області стоку зменшиться, і при напрузі насичення канал перекривається.
2) Лінійна область (робоча). Після досягнення струму насичення і перекриття каналу струм практично не зміниться, тому що величина опору вхідного і вихідного у транзистора як чотириполюсника на 3-5 порядків більше, ніж у польового транзистора з керуючим p-n-переходом, і досягає 1015-1016 Ом.
Характеристика передачі струму
Характеристикою передачі струму називають залежність стуму стоку ІС від напруги затвор стікUЗС при постійній напрузі між витоком і стоком. Всі характеристики починаються із однієї точки, якій відповідає UЗ (Uпор.) , коли створюється канал.
Польовий транзистор з ізольованим затвором має великий коефіцієнт підсилення по струму і напрузі, а відповідно і по потужності, тому що на управління майже не витрачається потужність джерела вхідного сигналу
Польові транзистори з вбудованим каналом
Через наявність каналу між витоком і стоком керувати шириною каналу у таких польових транзисторів можна, як позитивною, так і негативною напругою на затворі. Тому такі транзистори працюють як в режимі збіднення, так і в режимі збагачення. Тому ВАХ польового транзистора будуть розташовані вверх і вниз від ВАХ при Uзатв=0.
Вихідні ВАХ
Характеристика передачіструму
|
Контрольные вопросы:
1. Какой участок характеристики относится к сублинейному?
2. От чего зависит сублинейность характеристики?
3. Почему после перекрытия канала ток на выходных характеристиках практически не изменяется?
4. Что определяется по характеристикам передачи тока?
Литература:
Б. С. Гершунский. Основы электроники и микроэлектроники.- Киев : Вища школа, 1989, стр.111-116, 142-144.