Р- канал n - канал р -канал n - канал

P-n переходом

Затвором (МОП, МДП)

С изолированным

ПТ

металл -п/п с управляющим встроенный канал индуцированный канал

Рис.9.3 Упрощенная классификация полевых транзисторов

Идея полевого транзистора с изолированным затвором была предложена

Ю. Лилиенфельдом в 1926-1928 годах, патент на принцип работы полевых транзисторов - в Германии в 1928 году. В 1934 году немецкий физик Оскар Хайл запатентовал полевой транзистор.

Объективные научные и технологические трудности в реализации этой конструкции позволили создать первый работающий прибор этого типа (МОП-транзистор) только в 1960 году. В 90-х годах XX века МОП-технология постепенно стала доминировать над биполярной.

В 1953 году Дейки и Росс предложили и реализовали другую конструкцию полевого транзистора - с управляющим p-n переходом.

Конструкция полевых транзисторов с барьером Шоттки - была предложена и реализована Мидом в 1966 году.