СТРУКТУРА МИКРОСХЕМ ПАМЯТИ
Полупроводниковые ОЗУ, ПЗУ состоят из двух основных частей: накопителя и схемы управления, или периферии. Накопитель – это основная часть ЗУ, где хранятся данные (двоичные коды). Периферия предназначена для ввода и вывода этих данных. В нее входят дешифраторы, усилители, регистры, разного рода ключевые схемы, коммутаторы и другие узлы.
Накопитель состоит из элементов памяти (ЭП), каждый из них хранит один бит информации. Основу ЭП составляют бистабильные ячейки, основным свойством которых является наличие двух устойчивых состояний – 0, 1.
На рис. 8.1 представлена типичная структура запоминающего устройства с матричной организацией накопителя и предназначенного записи и считывания информации.
Рис. 8.1. Структура микросхемы ОЗУ
На приведенной схеме используются следующие сокращения:
· ДШх, ДШу – адресные дешифраторы строк и столбцов;
· ФЗС – формирователь сигналов записи/считывания;
· СУ – схема управления;
· АШх, РШ – адресные и разрядные шины;
· DI, DO – шины записи и считывания соответственно;
· БК – буферный каскад.
Накопитель представляет собой прямоугольную матрицу ЭП, содержащую nx строк и ny столбцов. Емкость накопителя N = nx · ny. Каждый ЭП подключен к адресным (АШ) и разрядным (РШ) шинам. Выбор требуемого ЭП осуществляется путем подачи определенной комбинации адресных переменных (Am … A1 , A0). Адресные дешифраторы строк (ДШx) и столбцов (ДШy) формируют сигналы выборки на соответствующих АШ, которые определяют строку и столбец накопителя, в котором расположен выбираемый ЭП. Таким образом, m адресных входов позволяют выбирать один из N = 2m элементов памяти.
Режим работы микросхемы определяется сигналами выбора микросхемы (CHIP SELECT) и записи-считывания
(WRITE/READ). При подаче низкого потенциала на вход выбора
схема управления (СУ) разрешает формирование сигналов выборки на АШx . Если при этом сигнал на входе
, то СУ формирует управляющий сигнал, при котором ФЗС обеспечивает запись в выбранном ЭП информации, поступающей на вход DI. Выход DO в этом случае находится в отключенном состоянии. Если сигнал
, то СУ переключает ФЗС в режим считывания, при котором информация из выбранного ЭП передается на выход DO, при этом состояние входа DI не влияет на работу микросхемы.
При микросхема находится в режиме хранения, т. е. состояние ЭП не меняется при любых сигналах на входах (Am … A0), DI,
. Выход DO находится в отключенном состоянии.
Типовые временные диаграммы, иллюстрирующие работу микросхем памяти, приведены на рис. 8.2
Рис. 8.2. Временные диаграммы работы микросхем
памяти с произвольной выборкой
Адресные сигналы A и сигнал обычно устанавливаются на входах микросхемы до поступления сигнала
.
Микросхемы, предназначенные только для считывания информации, не содержат узлов, отвечающих за ее запись.
Запоминающие устройства с произвольной выборкой служат для оперативного запоминания информации и способны хранить ее только при включенном питании. По принципу действия различают статические и динамические ОЗУ. Элементом памяти статических ОЗУ (SRAM) служат триггеры, которые могут быть реализованы по любой технологии. В динамических ОЗУ (DRAM) носителем информации является емкость между затвором МОП-транзистора и корпусом, которая может быть заряжена или разряжена.