Контактные площадки

Контактная площадка интегральной полупроводниковой микросхемы это металлизированный участок на кристалле, служащий для присоединения внешних выводов, а также для контроля ее электрических параметров. Кон­тактные площадки располагают, как правило, по периферии полупроводни­кового кристалла. Они представляют собой расширенные области коммута­ционных пленочных проводников и формируются одновременно с разводкой. С целью предотвращения замыканий контактных площадок на подложку в случае нарушения целостности окисла в процессе присоединения внешних выводов (рис. 15, рис. 20) под каждой контактной площадкой формируется изолированная область (за исключением площадок, имеющих контакт с подложкой).

Рис. 20. Конструкции контактных площадок в микросхеме с изоляцией элементов р-п переходами:

1 — контактная площадка; 2— термический окисел; 3— изолированная область под контактной площадкой