Фототиристори

Uке

Ф1

Ф2

Rк

Rк

 

Rб

+

 

_

 

 

а)

– Е +

 

 

 

 

 

 

б)

Рис. 6. Схеми включення фототранзистора, а - з "навантаженою базою", б - з "плаваючою базою"

 

У варіантi схеми з "плаваючою базою" струм колектора Iк складається з теплового Iкб звор та фото Iкбф струмiв переходу колектор-база, якi одночасно пiдсилюються у β -разiв, тобто

Iк = (β + 1) ∙ (Iкбзв + Iкбф).

При цьому транзистор знаходиться в активному режимi і забезпечує найбiльшу чутливiсть до світлового опромiнювання. Проте у цьому варіанті одночасно проявляється найбiльший вплив теплового (темнового) струму, що у деяких випадках може завадити використанню фототранзистора за призначенням.

У другому вариантi, коли мiж базою та емітером увімкнено резистор Rб, який частково вiдводить заряди з бази, підбором його опору можна досягти закритого стану транзистора, тобто зменшити темновий струм колектора. Але при цьому зменшується i чутливiсть фототранзистора.

Порівняно з фотодiодами цi компоненти мають значно більшу фоточутливiсть, але меншу швидкодію (бiльшу постійну часу зміни струму). Маркування фототранзисторiв подібне до фотодiодiв - починається з літер " ФТ...", наприклад, ФТ - 3.

 

Ік Ф3

 
 


Ф=0

Рис. 7 Вихідні ВАХ фототранзистора

 

Фототиристоривикористовуються для комутації світловим сигналом електричних сигналів великої потужності.

Фототиристори мають чотиришарову р-n-p-n структуру, у якої переходи П1 та П2 зміщені в прямому напрямку, а колекторний перехід П2 – в зворотному. Світло попадає на обидві бази тиристора – шари p2 та n1 . При цьому з ростом освітленості зростають емітерні струми, що призводить до збільшення коефіцієнтів передачі струму α.Опір фототиристора змінюється від 108 Ом (зачинений стан) до 10-1 Ом (відчинений стан). Час переключення фототиристора становить 10-5÷10-6 с.