Основные понятия.

Анализ профилограммы

1. Построение средней линии профиля:

- ниже всей профилограммы проводим линию (не обязательно горизонтальную);

- делим профилограмму на две равные части вертикальной линией;

- в правой части от профилограммы проводим до нижней линии отрезки с шагом 2 мм;

- измеряем длины отрезков, сумма делится на число отрезков, получается средняя длина отрезка;

- из центра правой части откладывается данный отрезок;

- то же самое делаем с левой частью;

- строим среднюю линию.

2. Построение линии выступов и линии впадин:

- линия выступов – линия параллельная средней линии, проходящая через самую отдаленную точку профилограммы, находящуюся выше средне линии;

- линия впадин – линия параллельная средней линии, проходящая через самую отдаленную точку профилограммы, находящуюся выше средне линии.

3. Вычисляем параметры шереховатости R_max, Rp, Ra, Rz:

- R_max – расстояние по вертикали от линии выступов до линии впадин;

на профилограмме это расстояние равно 22 мм. Профилограмма имеет вертикальное увеличение 4000. Следовательно R_max = 5,5 мкм;

- Rp – расстояние от линии выступов до средней линии (средняя высота);

Rp = 3 мкм;

- Rz – средняя суммы пяти самых высоких вершин и пяти самых глубоких впадин;

;

- Ra – средняя суммы расстояний от профилограммы до средней линии;

;

R_a = 1,356 мкм.

4. Построение кривой опорной поверхности:

- продолжаем среднюю линию профиля вправо на такое же расстояние, как и слева.

- продолжаем линию выступов и линию впадин;

- правее профилограммы чертим вертикальную линию;

- с шагом 2 мм чертим линии параллельные линии выступов;

- откладываем от правой линии отрезки на горизонтальных линиях длиной равные сумме срезанных частиц;

- соединяем концы отрезков, получаем кривую опорной поверхности.

5. Оценка средней длины профиля по кривой опорной поверхности:

- находим на кривой опорной поверхности самый пологий участок;

- откладываем R_pk и R_vk:

- R_pk – высота стираемых участков, R_pk = 4 мкм;

- R_vk – глубина смазовочных канавок, R_vk = 1 мкм.

Вывод: в результате выполнения лабораторной работы была проанализирована профилограмма. В результате анализа были выявлены параметры шероховатости: R_max = 5,5 мкм; Rp = 3 мкм; Rz = 2,85 мкм; R_a = 1,356 мкм; R_pk = 4 мкм; R_vk = 1 мкм.

Интегральная технология – возможность на одной пластине создавать группы схемно соединенных между собой элементов.

Интегральный микросхема (ИС) - функциональные узлы, выполненные по интегральной технологии.

Элемент - часть интегральной схемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая не может быть выделена как самостоятельное изделие. Под радиоэлементом понимают транзистор, диод, резистор, конденсатор и т.п.

Компонент - часть интегральной схемы, реализующая функцию какого-либо радиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие.

Корпус - часть конструкции ИС, которая защищает кристалл от внешних воздействий.

Подложка ИС - заготовка, предназначенная для изготовления на ней элементов гибридных и пленочных ИС, межэлементных и межкомпонентных соединений, контактных площадок.

Плата ИС - часть подложки (или вся подложка), на поверхности которой выполнены пленочные элементы, контактные площадки и линии соединений элементов и компонентов.

Критерием сложности ИС, т.е. числа N содержащихся в ней элементов и простых компонентов, является степень интеграции, определяемая коэффициентом k = lg N,значение которого округляется до ближайшего целого числа. Так, ИС первой степени интеграции (k=1) содержит до 10 элементов и простых компонентов, второй степени интеграции (k=2) - свыше 10 до 100, третьей степени интеграции (k=3) -свыше 1000 до 10 000 и т.д. Интегральную схему содержащую 500 и более элементов, изготовленных по биполярной технологии, или 1000 и более, изготовленных по МДП-технологии, называют большой интегральной схемой (БИС). Если число N превышает 10 000, то ИС называют сверхбольшой (СБИС). На смену СБИС