CD-RW диски.

CD R диски

Якщо пристрої CD ROM передбачають лише операцію зчитування даних, то передбачаючи майбутню популярність компакт-дисків, компанії Philips та Sony запропонували в 1991 році стандарт одноразового записування дисків CD RW або CD-Wo. Цей стандарт описує перші ділянки такого диску:

- ділянки даних диску для: калібрування лазеру при записуванні;

- службові інформації в яких вказано кількість треків, координат початку і кінця;

- ділянки для запису змісту диску (Table of contest);

- ділянки даних (Program area);

- ділянка яка інформує про закінчення диску (Lead Out Area).

Хоча дики записані на CD R та стандарті CD ROM диски дуже схожі, технології їх запису відрізняються принципом. При серійному виробництві CD ROM заглибленим формується механічно, шляхом штампування. При записуванні CD-R формується темп і світлі плями, шляхом знебарвлення цих зон в спеціальному шарі з органічного матеріалу, який нанесено на поверхню лазерного променя на цьому і побудовано процес зчитування інформації і знебарвлення, яке фактично реалізоване шляхом випалювання лазерним променем робочого шару процес не зворотний і може проводить лише один раз.

Ємність носія CD-R складає від 650М до 750М, а його довговічність залежить від матеріалу, що використовується в якості робочого шару. Звичайно це термін придатності якого до 10 разів.

Записаний CD-R диск можна зчитувати на звичайному приводі CD ROM, що відповідає стандарту CD ROM/ХА.

Наступним напрямом в розвитку оптичних носіїв інформації є перезапису вальні CD-RW диски. На відмінно від CD-R, де відбиваючий шар змінює свої властивості один раз, причому незворотний, в дисках CD-RW цей процес зворотній. Як активний шар CD-RW використовують став Ag, ln, Sb, Te, який у звичайному стані має відбілюючи властивості.

При записуванні диску в привод CD-RW лазер працює на максимальній потужності. В потрібному місці розігріває матеріал активного шару до 600-700°С, розробляючи його. В тому стані частина матеріалу втрачає відбиваючі властивості.

Для того, щоб повернути поверхню активного шару до початкового стану лазерний матеріал на середній потужності розігріває матеріал до 200°С і відбиваючі властивості відновлюються.

Оскільки відбиваюча здатність диску CD-RW значно нижче від стандартного CD ROM, то диск CD-RW може не читатися старими приводами CD-ROM.

Привід CD-ROM здатен записувати як одноразові диск CD-R, так і перезаписувати CD-RW.

Флеш-пам'ять – це тип довговічної комп’ютерної пам’яті, зміст якої модна видалити чи перепрограмувати електричним методом.

На відміну від Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory дії над нею виконуються в блоках, що розташовані різних місцях (в перших розробках фреш-пам’яті її чіп повинен був очищуватись лише один раз). При значно меншій ціні пам’яті у порівнянні з EEPROM, вона стала домінуючою технологією, у випадку, коли необхідно довготривале, стійку збереження інформації. Приклади її застосування найрізноманітніші. Від цифрових аудіо леєрів, камер до мобільних телефонів і КПК. Флеш пам'ять також використовується USDфлеш дисках («пальчикового типу» чи тип «переносного диску»), які зазвичай використовуються для локального збереження та просто передачі інформації між двома комп’ютерами. Деяку популярність вона отримала в геймерському світі, де часто використовували EEPROM’і чи залежні від живлення SDRAM пам’яті для збереження інформації на рахунок прогресу гри.

Флеш-пам'ять – це тип пам’яті, яка може на довготривалий час зберігати певну інформацію на своїй платі, зовсім не використовуючи живлення. В додаток можна сказати, що флеш-пам'ять пропонує високу швидкість доступу до інформації (хоча вона не настільки висока як у DRAM) і кращий опір до кінетичного шоку, ніж у вінчестерах. Ці характеристики пояснюють популярність флеш пам’яті для приладів, що залежать від батарейок. Іншою приманкою флеш пам’яті є те, що коли вона скомпресована в суцільну «карту пам’яті», стає майже неможливо зруйнувати її стандартними фізичними методами, що дає змогу витримувати високий тиск і кип’ячу воду.

Флеш пам'ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка – це транзистор із плаваючим затвором. Новіші пристрої (інколи їх ще називають багатозарядними пристроями) можна містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плаваючому затворі комірки.

У флеш пам’яті тип NOR кожна комірна схожа на стандартний MOSFET (оксидний напівпровідниковий польовий транзистор), але у ній є не один затвор, а два. Як і будь-який інший польовий транзистор, вони мають контрольний затвор (КЗ), а, окрім нього, ще й інший – плаваючий (ПЗ), замкнений всередині оксидного шару. ПЗ розташований між КЗ і підкладкою. оскільки ПЗ відокремлений власним заізольованим шаром оксиду, будь-які електрони, що попадають на нього відразу потрапляють в пастку, що дозволяє зберігати інформацію. Захоплені плаваючим затвором електрони змінюють (практично компенсують) електричне поле контрольного затвору, що змінює порогову напругу (Vn) затвору. Коли з комірки «зчитують» інформацію, до КЗ прикладають певну напругу, в залежності від якої в каналі транзистора протікатиме або не протікатиме електричний струм. Ця напруга залежить від Vn комірки, яка свою чергу контролюється числом захоплених плаваючим затвором електронів. Величина перегової напруги зчитується і передоковується в одиницю чи нуль. Якщо плаваючий затвор може мати кілька зарядових станів, то зчитування відбуваються за допомогою вимірювання сили струму в каналі транзистора.

Для запису інформації в комірку NOR необхідно зарядити плаваючий затвор. Цього досягають,пропускаючи через канал транзистора сильний струм, при якому виникають гарячі електрони, що мають достатню енергію для подолання оксидного шару.

Для очищення плаваючого затвору від електронів (стирання інформації) до контрольного затвору прикладають значну напругу, яка створює сильне електричне поле. Захоплені плаваючим затвором електрони висмоктуються цим полем, тунелюючи через оксидний шар.

У приладах з однотипною напругою (теоретично всі чіпи, які доступні нам на сьогоднішній день) ця висота напруги створюється генератором підкачки заряду. Більшість сучасних компонентів NOR пам’яті розділені на чисті сегменти, які часто називають блоками або секторами. Всі комірки пам’яті в блоці повинні бути очищені одночасно. На жаль, метод NOR може в загальному випадку обробляти лише одну частину інформації типу byte чи word.

NAND пам'ять використовує тулельну інжекцію для запису і тунельний випуск для вилучення. NAND‘ова флеш пам'ять формує ядро легкого USB інтерфейсу запам’ятовуючих приладів, які також відомі як USB флешки. Тоді коли розробники збільшують густину флеш приладів, індивідуальні комірки ділянки і кількість електронів в будь-якій комірці стає дуже малою. Парування між суміжними плаваючими затворами може змінити характеристику запису комірки. Нові реалізації, такі як заряджені пастки флеш пам’яті, намагаються забезпечити кращу ізоляцію між суміжними комірками.

Флеш пам'ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка – це транзистор із плаваючим затвором. Новіші пристрої (інколи їх це називають багатозарядними пристроями) можуть містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плаваючому затворі комірок.

Найновішим носієм об’ємного зображення є голограма (греч. holo - весь, повний, graph - запис і gramma - письменний, лінія). Особливістю голограми є об’ємний образ предмету, який володіє всіма признаками оригіналу, досягається повна ілюзія присутності предмету – зорове відчуття об’ємності, кольору (включаючи всі відтінки кольорів) та ракурсу. Голограма перешкодостійка, псування її деяких частин не приводить до втрати всього зображення. Не існує труднощів у фокусуванні, так як голографується не сфокусоване зображення, а хвильовий фронт об’єктивного проміння. Не обхідна високоякісна оптика та високоточні системи для механічної комутації інформаційного носія. Важливою перевагою є те, що голограма представляє собою оптичний елемент, що формує зображення без допомоги зовнішньої оптики.