Вхідні ВАХ
Вхідними характеристиками транзистора зі СБ є залежності струму емітера IЕ від емітерної напруги UЕБ при постійних значеннях колекторної напруги UКБ
.
Як відомо, ІЕ ≈ ІЕ0 (- 1) (9.5)
Із формули 9.6 виходить, що у разі UКБ=0 струм ІЕ = - ІЕ 0 і при наявності прямої напруги UЕБ струм ІЕ буде збільшуватися за експоненціальним законом
ІЕ ≈ - ІЕ0∙,
та проходити через емітерний перехід і базу, тому що колекторний перехід закритий (рис 9.7). Така ВАХ є аналогічною ВАХ p-n переходу діода.
Вхідні характеристики силіцієвих транзисторів зміщені від початку координат в бік прямих напург на 0,6...0,7В , германієвих – на 0,2...0,4В.
Якщо напруга UКБ ≠ 0, то ВАХ переміщується ліворуч. Це пояснюється зменшенням товщини бази W завдяки екстракції дірок із емітера через базу в колектор і тому збільшенням градієнта концентрації та струму емітера ІЕ. Але вплив напруги UКБ на струм ІЕ є малим і тому вхідні ВАХ, зняті при UКБ ≠ 0, майже збігаються. Тому в довідниках наводять дві ВАХ – одну при UКБ = 0, а іншу при UКБ ≠ 0.
Рис. 9.7. Вхідні ВАХ БТ зі СБ:
При нульових і малих прямих і зворотних напругах UЕБ емітерний перехід є закритим, проте буде існувати малий зворотній струм IЕБ0.
Температурний дрейф вхідних характеристик значний: з ростом температури при прямих напругах UЕБ струм IЕ збільшується і характеристики зміщуються ліворуч, при зворотних напругах UЕБ зворотній струм IЕБ0 також збільшується (рис. 9.8.). Тобто температура в схемі зі спільною базою на вхідні ВАХ має суттєвий вплив.
Рис. 9.8. Вплив температури на вхідні ВАХ БТ зі СБ
9.2.2. Вольт-амперні характеристики БТ зі СЕ