Фотолитография.
Процессы легирования, а также наращивания слоёв различных материалов призваны сформировать вертикальную физическую структуру ИМС. Необходимые форма и размеры элементов и областей в каждом слое структуры обеспечиваются процессом фотолитографии.
Фотолитография - процесс избирательного травления поверхностного слоя с использованием защитной фотомаски.
На рис. 16 приведена укрупнённая структурная схема процесса фотолитографии. Отдельные этапы на схеме включают в себя несколько операций. Ниже в качестве примера приведено описание основных операций при избирательном травлении оксида кремния (SiO2), которое используется многократно и имеет целью создание окон под избирательное легирование, а также контактных окон.
Таблица 3. Формы приконтактных областей полупроводниковых резисторов и номограммы для определения коэффициента k.
Топология приконтактных областей полупроводниковых резисторов | Номограммы для определения коэффициента k. |
![]() | ![]() |
![]() | ![]() |
![]() | ![]() |
![]() | ![]() |
Рис. 16. Укрупненная схема процесса фотолитографии.