Репрограммируемые ПЗУ.

В отличие от МПЗУ и ППЗУ, в РПЗУ информация может перезаписываться многократно и храниться несколько лет или даже десятков лет. РПЗУ - это энергонезависимая память, то есть память с сохраняемой на ней информацией, даже при выключенном источнике питания.

РПЗУ делится на 2 группы:

1. С электрическим программированием и ультрафиолетовым стиранием (РПЗУУФ, EPROM).

2. С электрическим программированием и электрическим стиранием (РПЗУ, EЕPROM).

ЗЯ РПЗУ строятся на пМОП и КМОП транзисторах, при этом используют различные физические явления хранения заряда на границе между двумя различными диэлектриками или на границе между диэлектриком и проводником.

В первом случае: под затвором расположены два диэлектрика - нитрид кремния и двуокись кремния. Такая структура называется МНОП – металл, нитрид, окись, полупроводник. В этой структуре на границе 2-х диэлектриков при высоком напряжении (30В) появляется большое количество ловушек для носителей заряда, т.е. появляется отрицательно заряженный слой, и при подаче напряжения на затвор в режиме считывания информация может быть считана.

Во втором случае затвор МОП транзистора - плавающий, т.е. не связан с другими элементами схемы. Этот затвор заряжается при подаче на сток транзистора высокого напряжения 30В, и при считывании информации этот затвор влияет на ток считывания. Так как в таком транзисторе затвор со всех сторон окружен диэлектриком, то ток утечки практически отсутствует и информация может храниться десятки лет.

Для стирания информации в РПЗУУФ используется облучение кристалла ПЗУ ультрафиолетовым светом через специальное окошко в корпусе микросхемы. При этом резко увеличивается ток утечки, а значит, носители заряда постепенно рассасываются. Другой способ перезаписи информации используется в РПЗУ с электрической записью и стиранием.

Рис. Структурная схема РПЗУ с электрическим стиранием.