Оперативная память, типы ОП

Тип оперативной памяти важен постольку, поскольку технология изготовления и физические принципы ее функционирования определяют самый важный параметр – быстродействие. Чем выше быстродействие ОП, тем меньше время доступа к ней. В настоящее время наиболее распространены микросхемы памяти двух типов: статические ОЗУ – SRAM и динамические – DRAM. Разумеется, более быстрая память дороже стоит, поэтому SRAM используется, как правило, для кэш памяти, в регистрах микропроцессора и системах управления.

Конструктивное исполнение

Динамическое ОЗУ со времени своего появления прошло несколько стадий роста и продолжает совершенствоваться. Для построения ОЗУ большой емкости используются элементы статической или динамической памяти, которые строятся на простейших элементах транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ), инжекционной логики (И²Л), эмиттерносвязной логики (ЭСЛ) и других технологий.

В основе динамических ОЗУ (DRAM) используется заряд межэлектродных конденсаторов C_ij емкостью менее 0.1 пФ и током заряда менее 10^-10 А. Схема i-го разряда ячейки памяти динамического ОЗУ (DRAM) представлена на рис. 3.3. Для записи логической “1” в элемент памяти активизируются информационная шина D_j и адресная шина А_i. При этом униполярный (полевой) транзистор открывается и через него конденсатор C_ij заряжается. При отсутствии открывающего напряжения на шине А_i транзистор закрыт, конденсатор C_ij заряжен и хранит информацию. При подаче напряжения чтения на шину А_i транзистор VT_ij открывается и напряжение конденсатора C_ij подается на шину D_j, и он разряжается. Ток разряда C_ij усиливается и фиксируется в информационном регистре ОЗУ.

Рис. 7.3. Элемент динамического ОЗУ

В настоящее время все большее распространение получили - SDRAM (Synchronic DRAM) – динамическое ОЗУ с синхронным интерфейсом, работающие на частотах 143 МГц и выше. ESDRAM – динамические ОЗУ с синхронным интерфейсом, с кэшом на самом модуле, работающие на частотах 200 МГц и выше. SLDRAM – имеет в своем составе SRAM, работает на частоте до 400 МГц. RDRAM, RIMM – работает на частоте до 800 МГц.

Мы уже видели, что стоимость хранения данных в расчете на один бит увеличивается с ростом быстродействия. Однако пользователю хотелось бы иметь и недорогую, и быструю память. Кэш-память представляет некоторое компромиссное решение этой проблемы. Однако известно, рост производительности процессора составляет 60% в год, а уменьшение задержки памяти всего на 7%. Разрыв между быстродействием CPU и быстродействием памяти приводит к появлению «узкого горла». Кэш-память частично решает эту проблему, создавая новую – почти 50% площади кристалла отдается кэшу (например, Alpha 21164 компании Digital).