Будова, характеристики і параметри біполярного транзистора

2.1. Будова біполярного транзистора

Біполярний транзистор – це керований напівпровідниковий прилад, який можна використати для підсилення електричних сигналів. Він складається з трьох шарів напівпровідникових матеріалів з почерговим розміщенням шарів p- і n-провідності, тобто має два p-n-переходи. Від кожного шару виведені електроди, які називаються емітером, базою і колектором. Спрощена будова та графічне позначення біполярного транзистора на схемах електроніки зображені на рис. 2.1.

Рис. 2.1. Спрощена будова та графічне зображення біполярних транзисторів типу p-n-p (а) та n-p-n (б)

Біполярні транзистори можуть мати будову типу p-n-p або n-p-n залежно від типу і черговості розміщення напівпровідникових матеріалів у структурі транзистора.

Біполярні транзистори виготовляють за сплавною технологією на основі (базі) напівпровідникової пластини з типом провідності n або p. Електрод, який виведений від цієї пластини, має назву “база”. Зовнішні електроди отримують наплавленням на матеріал бази іншого матеріалу з протилежним типом провідності. Основні носії зовнішних шарів (n чи p) визначають тип провідності транзистора. Під час сплавлення цих матеріалів внаслідок дифузії акцепторних чи донорних домішок утворюються зовнішні шари транзистора, які мають назву емітер та колектор. Утворені прилеглі

p-n-переходи називають відповідно емітерним та колекторним.

Якщо за базу взято пластину, наприклад, германію з n-провідністю, то емітер і колектор утворюють наплавленням шматочків індію (акцепторної речовини), а утворений транзистор буде мати будову типу p-n-p (рис. 2.1, а). Якщо за базу взято пластину германію з p-провідністю, то шари з провідністю типу n утворюють наплавленням донорної речовини (звичайно, сурми). Утворений транзистор буде мати будову типу n-p-n (рис. 2.1, б).