Лабораторная работа: Исследование биполярного транзистора
Лабораторная работа 1
Тема: "Исследование биполярного транзистора"
Цель: Получение входных и выходных характеристик транзистора.
Приборы и элементы: Биполярный транзистор 2N3904, источник постоянной ЭДС, источник переменной ЭДС, амперметры, вольтметры, осциллограф, резисторы.
Ход работы:
1. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) В схеме (рис. 1) провели измерения тока коллектора IК для каждого значения ЕК и ЕБ и заполнили таблицу 1 в разделе «Результаты экспериментов». По данным таблицы построили график зависимости IК от Ек.
б) Построили схему, изображенную на рис. 2. Включили схему. Зарисовали осциллограмму выходной характеристики, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов». Повторили измерения для каждого значения ЕБ из таблицы 1. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы зарисовали в разделе «Результаты экспериментов» на одном графике.
Рисунок 1. – Схема биполярного транзистора с ОЭ
в) По выходной характеристике нашли коэффициент передачи тока рас при изменении базового тока с 10 µА до 30 µА, Ек = 10 В. – Результат записали в раздел «Результаты экспериментов».
Таблица 1. – Результаты экспериментов
| Ek | |||||||
| Eb | Ib(mkA) | 0,1 | 0,5 | 1 | 5 | 10 | 20 |
| 1,66 | 9.245 | 0,783 | 1,604 | 1,622 | 1,673 | 1,749 | 1,901 |
| 2,68 | 19.23 | 1,656 | 3,453 | 3,469 | 3,595 | 3,753 | 4,069 |
| 3,68 | 29.11 | 2,479 | 5,209 | 5,233 | 5,422 | 5,657 | 6,129 |
| 4,68 | 39.02 | 3,269 | 6,903 | 6,934 | 7,182 | 7,493 | 8,115 |
| 5,7 | 49.15 | 4,042 | 8,656 | 8,606 | 8,914 | 9,29 | 10,07 |
Рисунок 2. – График зависимости тока от напряжения
2. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) На схеме (рис. 1) установили значение напряжения источника Ек равным 10 В и провели измерения тока базы iБ, напряжения база-эмиттер U6э, тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения источника Eg в соответствии с таблицей 10.2 в разделе «Результаты экспериментов». Обратили внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.
б) В разделе «Результаты экспериментов» по данным таблицы 2 построили график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
в) Построили схему, изображенную на рис 3. Включили схему. Зарисовали входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов»
Рисунок 3. – Схема биполярного транзистора с ОЭ.
г) По входной характеристике нашли сопротивление rВХ при изменении базового тока с 10 µA до 30 µА Результат записали в раздел «Результаты экспериментов».
Рисунок 4. – Показания осциллографа
Таблица 2. – Результаты экспериментов
| Eб | 1,66 | 2,68 | 3,68 | 4,68 | 5,7 |
| Iб | 9,245 | 19,23 | 29,11 | 39,02 | 49,15 |
| Uбэ | 735,5 | 757,1 | 769,3 | 778,2 | 785,3 |
| Ik | 1,749 | 3,753 | 5,657 | 7,493 | 9,299 |
Рисунок 5. – График зависимости тока от напряжения
Рисунок 6. – Схема биполярного транзистора с ОЭ
Рисунок 7. – Показания осциллографа
| Исследование биполярного транзистора | |
|
Лабораторная работа 2 Тема: Исследование биполярного транзистора Цель: Получение входных и выходных характеристик транзистора Приборы и элементы ... Рисунок 1. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером 2) установить значение напряжения источника Ек равным 10 В и провести измерения тока базы iБ, напряжения база-эмиттер U6э, тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения ... |
Раздел: Рефераты по физике Тип: лабораторная работа |
| Разработать лабораторный стенд для испытания устройств защиты судовых ... | |
|
Аннотация В данном дипломном проекте был разработан лабораторный стенд для испытания устройств защиты судовых генераторов, а именно: устройства ... При отсутствии перегрузки генератора транзистор VT1 закрыт, так как ток через его переход эмиттер - база возникает только под действием выходного напряжения измерителя, когда оно ... При достижении напряжением на конденсаторе С4 или С5 величины, достаточной для пробоя стабилитрона Д23, последний пробивается, и на вход триггера Шмитта (на базу транзистора ПП6 ... |
Раздел: Рефераты по транспорту Тип: дипломная работа |
| Физические основы электроники | |
|
Министерство Российской Федерации по связи и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных ... Биполярный транзистор, являющийся трехполюсным прибором, можно использовать в трех схемах включения: с общей базой (ОБ) (рисунок 3.3,а), общим эмиттером (ОЭ) (рисунок 3.3,б), и ... Для биполярных транзисторов используется зависимость от частоты коэффициента передачи входного тока в схемах ОБ и ОЭ Н21Б и Н21Э. |
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике Тип: реферат |
| Лекции - преподаватель Григорьев Владимир Калистратович | |
|
ЛЕКЦИЯ 1 Исторический обзор Что такое электроника? Это передача, приём, обработка и хранение информации с помощью электрических зарядов. Это наука ... так, входное сопротивление транзистора будет сильно зависеть от , rб и rэ, а также от тока, протекающего через эмиттер. Поэтому в большинстве ОУ используют одинарные биполярные транзисторы, но принимают меры к тому, чтобы улучшить генератор тока эмиттера, и вместо резистора используют транзистор. |
Раздел: Рефераты по схемотехнике Тип: реферат |
| Усилитель мощности на дискретных элементах | |
|
Развитие усилителей неразрывно связано с появлением и совершенствованием усилительных элементов - сначала ламп, затем транзисторов, интегральных схем ... Увеличение данных токов позволяет снизить нелинейные искажения на данных транзисторах путем вывода точки покоя на входных характеристиках выходных транзисторов наиболее близко к ... Каскады предварительного усиления - каскады на биполярных транзисторах, включенные по схеме с общим эмиттером (ОЭ), работающий в режиме А. Данные каскады имеют характеристики ... |
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике Тип: реферат |