Доклад: Фоторезистор
ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз (у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернисто-свинцовые, сернисто-кадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
Основные характеристики фотосопротивлений.
Рабочая площадь.
Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах от 1000 до 100000000 ом.
Удельная чувствительность, где:
Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1 до 1000 в ).
Среднее относительное изменение сопротивления, % - обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %,
6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением : Rt/Rc.
Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики.
Схема включения фоторезисторов:
При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ).
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., " Советское радио", 1973.
2. Шифман Д. Х. Системы автоматического управления. М., "Энергия", 1965.
| Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов | |
|
... Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по дисциплине "Технология производства полупроводниковых ... Так как молекулы воды очень малы, влага быстро диффундирует через микропоры и микротрещины защитных покрытий и в результате на поверхности полупроводниковых кристаллов возникает ... В полупроводниковом производстве основными требованиями, предъявляемыми к методам контроля чистоты поверхности, является высокая чувствительность измерений и возможность их ... |
Раздел: Рефераты по технологии Тип: реферат |
| Резисторы постоянные проволочные | |
|
Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ... o фоторезисторы - сопротивление зависит от освещённости Сопротивление полупроводниковых резисторов может зависеть от температуры сильнее, возможно, даже экспоненциально по закону Аррениуса, однако в практическом диапазоне температур и ... |
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи Тип: реферат |
| История иследования полупроводников | |
|
Введение Физика полупроводников имеет большое значение в современном мире. Исследования проводимости различных математиков начали проводиться в XIX ... Важными явились работы немецкого физика К.Ф. Брауна по исследованию проводимости целого ряда полупроводников, сернистого цинка, перекиси свинца, карборунда и других, проведенные в ... Однако их КПД при использовании солнечной энергии не превышал 0,05-0,1%. Но уже перед Великой Отечественной войной в СССР были созданы фотоэлементы из сернистого таллия и ... |
Раздел: Рефераты по физике Тип: курсовая работа |
| Фотоприемники на основе твердого раствора кадмий-ртуть-телур (КРТ) | |
|
Введение В настоящее время тем, кто более-менее знаком с полупроводниковыми технологиями, сочетание букв КРТ - не пустой звук, а довольно обширная ... Появление новых эпитаксиальных методов получения тонких слоёв КРТ позволило изменить конструкцию фоточувствительного элемента, упростить технологию изготовления фоторезисторов из ... в возможности увеличения вольтовой чувствительности в 3 - 4 раза за счёт уменьшения толщины рабочего слоя до = 5 мкм вместо 15 - 20 мкм в конструкции ФЧЭ с запирающими контактами и ... |
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи Тип: курсовая работа |
| Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа | |
|
Содержание. Введение 1. Принципы волоконно-оптической гироскопии 1.1. Основные характеристики ВОГ Принцип взаимности и регистрация фазы в ВОГ Модель ... При соединении полупроводников разных типов проводимости на границе их раздела образуется р-n-переход. В фотодиодах с р - i - n - переходом довольно широкая область собственной проводимости ( i - область) расположена между двумя областями полупроводника противоположного знака ... |
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике Тип: реферат |