Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)
Техническое задание №6.
Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.
Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем
n-полупроводника.
|
Элемент |
Характеристика |
|
|
1 |
R1 – R4 |
4,7 кОм ±20% |
|
2 |
R5 |
3,3 кОм ±20% |
|
3 |
C1 – C4 |
20 пФ ±20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2 |
|
4 |
T1 – T4 |
Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый полосковый. |