Содержание

Спецчасть

1.1. Введение 2-2

1.2. Постановка задачи 2-3

2. Описание программы

2.1. Общие сведения

2.1.1. Выбор языка программирования 2-4

2.1.2. Необходимое программное обеспечение 2-4

2.2. Функциональное предназначение 2-5

2.3. Описание логической структуры

2.3.1. Общая постановка задачи 2-5

2.3.2. Метод расщепления 2-7

2.3.3. Организация счета на центральном этапе расщепления 2-10

2.3.4. Метод встречной прогонки 2-16

2.3.5 Общая структура программы и ее частей 2-18

2.4. Используемые технические средства 2-25

2.5. Входные и выходные данные 2-25

2.6. Контроль сходимости итерационного процесса 2-26

2.7. Методика тестирования программы 2-26

Международный тест в квадратной области 2-29

2.8. Заключение 2-42

3. Технологическая часть

3.1. Отладка и общие принципы тестирования программ 3-1

3.2. Тестирование модулей 3-5

3.3. Тестирование и отладка программы 3-10

4. Экономическая часть

4.1. Теоретическая часть 4-1

4.2. Расчет 4-17

5. Производственно-экологическая безопасность

Теоретическая часть 5-1

Расчет воздухообмена 5-10

6. Заключение 6-1

Введение

Монокристаллы и полупроводниковые структуры широко применяются в качестве элементной базы ЭВМ, в технике связи, лазерной технике и во многих других приложениях. К однородности и структурному совершенству кристаллов предъявляются весьма высокие требования, которые непрерывно возрастают в связи с миниатюризацией всех видов электронной техники. Процессы гидромеханики и тепломассообмена, происходящие в жидкой питающей среде при кристаллизации, могут быть причиной разнообразных дефектов в кристаллах и существенно влиять на производительность и ход соответствующих технологических процессов, являясь в некотором смысле связующим звеном между условиями их протекания и структурой и свойствами получаемых кристаллов. Несмотря на то, что эти свойства в большинстве случаев хорошо изучены, физические причины, вызывающие те или иные дефекты кристаллов, исследованы в значительно меньшей степени.

Главную роль в изучении процессов роста кристаллов играет математическое моделирование этих процессов.

Разрабатываемая программа является частью системы моделирования направленной кристаллизации кристалла GaAs в условиях микрогравитации, разработанной в НИИ НЦ в отделе 261 в рамках темы " Мангут-3" между НИИ НЦ и МНТЦ Полезных Нагрузок Космических Объектов.

Список литературы

1. Пасконов Полежаев " Численное моделирование процессов тепло-и массообмена".

2. Самарский А.А. " Теория разностных схем"

3. Марчук Г.И. " Методы вычислительной математики"

4. Статьи и отчеты, вышедшие из отдела 261 НИИ НЦ за 1993-96 годы

5. Салтыков А.И. " Программирование на языке Фортран"

Примечания:

Примечаний нет.